[发明专利]具备抗冲击能力的衰变池

说明书

本发明涉及污水处理领域，具体涉及了一种具备抗冲击能力的衰变池，包括调节池、检测池和多个通过导管依次连通的衰变池，检测池包括第一检测池和第二检测池，位于首端的衰变池连通地设有进水管，位于尾端的衰变池分别通过出水管和旁通管连通于第一检测池和调节池，出水管和旁通管上分别设有第一控制阀和第二控制阀，调节池连通于第二检测池，第一检测池和第二检测池均设有连通于外界的排水口。本发明的具备抗冲击能力的衰变池，在传统的连续式衰变池的基础上增设了调节池，调节池能够暂时储存废水，防止在放射性物质泄露时，衰变池中未达到排放标准的废水不得不排放，造成放射性污染事故。

技术领域

本发明涉及污水处理领域，特别是涉及一种具备抗冲击能力的衰变池。

背景技术

从20世纪50年代开始，我国便开始把放射性同位素用于医疗诊断和治理疾病上。应用放射性同位素诊断、治疗过程中患者服用和注射放射性同位素后所产生的排泄物，分装同位素的容器、杯皿和实验室的清洗水，标记化合物等排放的放射性废水必须进行适当的处理，使废水的放射性降低到国家规定的安全值以下方可排入城市市政污水管道。医院里作为诊断及治疗用的放射性同位素，其特点是核素的半衰期一般较短，毒性较低。处理医用放射性同位素废水的常见方法之一为贮存衰变法。

依据《医院污水处理工程技术规范》HJ2029-2013规定，衰变池按使用的同位素种类和强度设计，衰变池的容积按最长半衰期同位素的10个半衰期计算，或按同位素的衰变公式计算。衰变池按运行方式可分为间歇式和连续式。间歇式衰变池的缺点是：为保证出水的可靠性，要贮存大量的放射性废水，设计池体总容积不小于最长半衰期同位素20个半衰期放射性废水总排水量；多格设置，每格均配套设置电磁阀及潜水泵，使整个池子的占地面积大、造价高、后期控制运行管理相对复杂，不适用于用地紧张的场所。而连续式衰变池的缺点是：只贮存规范规定的最低衰变时间的放射性废水，抗事故冲击能力差；如发生放射性物质泄露等事故、废水中的放射性物质增加时、废水在衰变池还未衰变到允许排放的浓度时就不得不排放、会造成放射性污染事故。

发明内容

本发明的目的是提供一种具备抗冲击能力的衰变池，在传统的连续式衰变池的基础上增设了调节池，调节池能够暂时储存废水，防止在放射性物质泄露时，衰变池中未达到排放标准的废水不得不排放，造成放射性污染事故。

为了解决上述问题，本发明提供了一种具备抗冲击能力的衰变池，包括调节池、检测池和多个通过导管依次连通的衰变池，所述检测池包括第一检测池和第二检测池，位于首端的所述衰变池连通地设有进水管，位于尾端的所述衰变池分别通过出水管和旁通管连通于所述第一检测池和调节池，所述出水管和旁通管上分别设有第一控制阀和第二控制阀，所述调节池连通于所述第二检测池，所述第一检测池和第二检测池均设有连通于外界的排水口。

作为优选的，位于尾端的所述衰变池内的旁通管管口的标高低于位于尾端的所述衰变池内的出水管管口的标高，且位于尾端的所述衰变池内的旁通管的管口以及位于尾端的所述衰变池内的出水管的管口相邻设置。

作为优选的，所述调节池内设有泵液装置，所述泵液装置的排液端连通于所述第二检测池。

作为优选的，所述调节池的侧壁上设有导流槽，所述导流槽的一端设在所述旁通管的管口旁，所述导流槽的另一端设有缺口。

作为优选的，多个所述衰变池均为长方体结构，相邻的两个所述导管对角设置，相邻的所述进水管和导管对角设置，以及相邻的所述出水管和导管对角设置。

作为优选的，还包括阀门井，所述第一控制阀和第二控制阀均设在所述阀门井内。

作为优选的，所述调节池和衰变池之间以及多个所述衰变池之间均通过分隔墙相间隔。

作为优选的，所述衰变池有三个，所述进水管设在位于首端的所述衰变池的底部，所述出水管设在位于尾端的所述衰变池的分隔墙的顶部。