[发明专利]一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，包括以下步骤：

(1)将经前处理的基体置于装有C靶、Ag靶和非Ag金属靶的真空腔内进行等离子体清洗；

(2)以非Ag金属靶为蒸发源，以氩气为工作气体，在真空条件下采用离子镀工艺在经步骤(1)处理后的基体上沉积一层非Ag金属缓冲层；

(3)以C靶、Ag靶和非Ag金属靶为蒸发源，以氩气为工作气体，在真空条件下采用离子镀工艺在步骤(2)所得的非Ag金属缓冲层上沉积一层Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层，使类石墨碳涂层中的银颗粒与非Ag金属直接化合形成合金相。

2.根据权利要求1所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述非Ag金属靶为Cr靶、Ti靶、Al靶中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，等离子清洗的工作条件为：抽真空≤3.0×10-3Pa，C靶和Ag靶电流均为0.1A，非Ag金属靶电流0.3A，样品偏压为-400V。

4.根据权利要求3所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，真空腔内气压为0.1～0.5Pa，工件架转速为5～8r/min，非Ag金属靶电流为1.5～2A、样品偏压为-120～-90V，沉积时间为3～10min。

5.根据权利要求4所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，真空腔内气压为0.1～0.5Pa，工件架转速为5～8r/min，C靶电流为1.5～2A，Ag靶电流为0.01～0.05A，非Ag金属靶电流为0.5A～2A，基体偏压为-90～-60V，沉积时间60～180min。

6.根据权利要求3～5任一项所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述基体材质为铝合金或不锈钢。

7.根据权利要求6所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述前处理包括：将基体在去离子水中超声波清洗1次，清洗时间3min，再在无水乙醇中超声波清洗3次，每次清洗5min。

8.根据权利要求7所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，所述前处理还包括：在进行超声波清洗前，将基体放入含有除油剂的溶液中，超声波除油处理7min。

9.根据权利要求8所述的Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层的制备方法，其特征在于，基体与各靶材之间的距离均为60～120mm。

10.一种Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层，其特征在于，所述Ag-Me共掺杂类石墨碳涂层由权利要求1～9任一项所述的制备方法制得。