[发明专利]一种存储器的栅极连接结构及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的栅极连接结构，其特征在于，该结构由虚拟多晶硅与存储栅极组成，所述虚拟多晶硅位于存储栅一定距离外，通过自对准刻蚀在存储栅极与虚拟多晶硅之间形成平整的选择栅极，所述选择栅极区域用来做钨通孔刻蚀区域。

2.根据权利要求1所述的存储器的栅极连接结构，其特征在于，所述选择栅极位于存储栅极侧壁，其形貌为具有一定角度的侧墙型多晶硅。

3.根据权利要求1所述的存储器的栅极连接结构，其特征在于，所述选择栅在虚拟多晶硅与存储栅之间形成平坦型可落入钨通孔的结构。

4.根据权利要求1，所述的存储器的栅极连接结构，其特征在于，所述多晶硅形成钨通孔位于浅沟槽隔离氧化层之上。

5.一种存储器的栅极连接结构的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

在经过深阱注入的硅基衬底上依次进行预清洗、ONO层沉积、第一多晶硅沉积、硬掩模版氧化硅层沉积、多晶硅离子注入、预清洗、硬掩模板氮化硅层沉积；

光刻胶涂布显影，仅覆盖存储区处用于形成存储栅的顶部区域；

第一多晶硅经过干法刻蚀后形成存储区的存储栅；

通过湿法刻蚀分别去除有源区ONO层的氮化物层和第一氧化物层；

通过预清洗后，氧化进行栅氧化层沉积；

第二多晶硅沉积，所述第二多晶硅覆盖所有区域，以用于形成存储区的选择栅；

第二多晶硅刻蚀，同时形成存储区的侧墙型选择栅；

通过后续相关工艺后，进行钨通孔刻蚀。

6.根据权利要求1所述的存储器的栅极连接结构的形成方法，其特征在于，所述选择栅在存储栅侧旁为具有一定角度侧墙型结构，所述选择栅在虚拟多晶硅结构与存储栅之间为平坦型结构。

7.根据权利要求6所述的存储器的栅极连接结构的形成方法，其特征在于，所述钨通孔刻蚀分别停止于所述平坦型选择栅结构与存储栅上。