[发明专利]一种超硬低摩且耐磨的保护涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711099811.1 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN108048810B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 张侃;杨丽娜;文懋;郑伟涛 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 33200 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 黄欢娣;邱启旺
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 超硬低摩 耐磨 保护 涂层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超硬低摩且耐磨的保护涂层,其特征在于:含有Ti,N,Mo和S元素,按照原子数量比计算,各元素的含量范围分别为58.6~52.1%,37.4~38.5%,3.5~8%和0.5~1.4%;其中,非晶的MoS2包裹立方相的Ti-Mo-N固溶体,Ti-Mo-N固溶体的晶粒尺寸范围维持在10~20nm;

所述超硬低摩且耐磨的保护涂层通过以下方法制备,该方法通过直流和射频磁控共溅射的技术实现,其中MoS2靶材连接射频电源,设置功率为30-50W;TiN靶材连接直流电源,电流为0.55A;靶基距控制在7~11cm;以N2和Ar为放电气体,且保持N2流量范围为15~20sccm,Ar流量范围为60~65sccm,以达到溅射总压强为0.6~1.0Pa,基片温度为室温~300℃,基片施加的负偏压范围为-100~-200V;

在沉积所述保护涂层之前,先沉积过渡层,过渡层选用金属Ti,并控制该过渡层的厚度为100~300nm。

2.一种权利要求1所述的保护涂层的制备方法,其特征在于:该方法通过直流和射频磁控共溅射的技术实现,其中MoS2靶材连接射频电源,设置功率为30-50W;TiN靶材连接直流电源,电流为0.55A;靶基距控制在7~11cm;以N2和Ar为放电气体,且保持N2流量范围为15~20sccm,Ar流量范围为60~65sccm,以达到溅射总压强为0.6~1.0Pa,基片温度为室温~300℃,基片施加的负偏压范围为-100~-200V;

在沉积所述保护涂层之前,先沉积过渡层,过渡层选用金属Ti,并控制该过渡层的厚度为100~300nm。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所用衬底材料不仅局限在单晶Si(100),同时适应于各类工业用不锈钢基底;且在被引入真空腔里之前,须先后经过丙酮、乙醇和蒸馏水进行超声清洗各20min。

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