[发明专利]一种提高闪存编程效率的方法

权利要求书

1.一种提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述提高闪存编程效率的方法，是通过改变浅沟槽隔离之边缘的栅氧化层形貌，使得所述栅氧化层形貌为呈阶梯状设置之结构，或者呈凹字形设置之结构。

2.如权利要求1所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述栅氧化层距离所述浅沟槽隔离之边缘的距离依所述浅沟槽隔离之电学特性确定。

3.如权利要求1所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述栅氧化层之形貌的改变通过有源区光刻和湿法刻蚀工艺实现。

4.如权利要求3所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，通过有源区光刻和湿法刻蚀，将浅沟槽隔离之边缘的栅氧化层部分去除，减薄边缘栅氧化层之膜厚。

5.如权利要求1所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述提高闪存编程效率的方法，包括：

执行步骤S1：提供硅基衬底，并对设置在所述硅基衬底上的氧化层、氮化硅层，及硅基衬底进行浅沟槽刻蚀，以形成浅沟槽隔离；

执行步骤S2：对所述浅沟槽隔离氧化形成浅沟槽隔离氧化层，并进行填充、浅沟槽平坦化处理；

执行步骤S3：去除氧化层和氮化硅层；

执行步骤S4：对所述硅基衬底进行栅氧氧化，形成栅氧化层；

执行步骤S5：进行有源区光刻和湿法刻蚀，以改变所述栅氧化层之形貌；

执行步骤S6：在所述形貌改变之栅氧化层上进行多晶硅淀积，以形成悬浮栅层。

6.如权利要求5所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，所述提高闪存编程效率的方法进一步包括形成控制栅，以及形成设置在所述悬浮栅层和控制栅之间的栅氧介质层。

7.如权利要求5所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，在步骤S3中，通过湿法工艺完全去除氮化硅层。

8.如权利要求5所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，在步骤S4中，通过炉管干氧氧化工艺生长所述栅氧化层。

9.如权利要求5所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，在步骤S5中，改变所述栅氧化层之形貌，是通过采用光刻板、光刻胶，对具有源端、漏端、栅极的有源区进行光刻和湿法刻蚀而获得。

10.如权利要求5所述提高闪存编程效率的方法，其特征在于，光刻仅将漏端显影，源端光刻胶覆盖。