[发明专利]一种变压器直流偏磁抑制装置、方法及变压器系统在审

专利信息
申请号: 201711100009.X 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN107706886A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 马静;杨娜;陈煜;文习山;潘卓洪;刘晨蕾 申请(专利权)人: 国网安徽省电力公司经济技术研究院;武汉大学
主分类号: H02H7/04 分类号: H02H7/04
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 代理人: 熊艳
地址: 230022 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 变压器 直流 抑制 装置 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种变压器直流偏磁抑制装置,其特征在于:

包括检测控制单元、抑制单元、避雷针、刀闸和第一电阻;

所述检测控制单元与所述抑制单元连接;

变压器中性点连接并联的抑制单元、避雷针、刀闸,再串联第一电阻,然后接地。

2.根据权利要求1所述的变压器直流偏磁抑制装置,其特征在于:所述检测控制单元包括电压电流测控模块和PID控制模块;所述电压电流测控模块经所述PID控制模块连接于所述抑制单元。

3.根据权利要求2所述的变压器直流偏磁抑制装置,其特征在于:所述抑制单元包括串联的IGBT与第二电阻。

4.根据权利要求3所述的变压器直流偏磁抑制装置,其特征在于:所述IGBT为反相串联的SIC IGBT。

5.应用于权利要求1至4任意一项所述抑制装置的抑制方法,其特征在于:包括如下步骤:

电压电流测控模块预设入地直流电流的安全阈值;

电压电流测控模块检测变压器入地直流电流;

电压电流测控模块使用如下公式计算占空比:

D(t)=Kp(I*-|I|)+Ki∫tot(I*-|I|)dt]]>

其中,Kp是比例系数;I*是预设安全阈值;I是变压器中性点的入地直流电流;Ki是积分系数;t0是入地电流超过阈值的时刻;

当I<I*时,占空比为1,刀闸闭合,IGBT导通;

当I≥I*时,刀闸断开,由PID控制模块先控制IGBT的高频通断,当IGBT导通时,变压器中性点经过第一电阻、第二电阻接地,当IGBT关断时,变压器中性点不接地。

6.根据权利要求5所述的抑制方法,其特征在于:所述IGBT的工作频率为10HZ。

7.根据权利要求6所述的抑制方法,其特征在于:设定Kp=0.2,Ki=0.1。

8.一种变压器系统,包括权利要求1至4任意一项所述抑制装置。

9.一种变压器系统,包括权利要求5所述的抑制方法。

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