[发明专利]一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)在二氧化硅片上依次电镀Cu和Sn作为键合层，同时也是下电极层，且二氧化硅片的中间为硅，两侧是二氧化硅；

2)在压电陶瓷片上电镀Cu作为键合层，同时也是下电极层；

3)将做好电镀工艺的压电陶瓷片和二氧化硅片进行共晶键合，之后对键合片机械减薄、研磨并抛光；

4)根据设计好的器件结构图，使用激光切割机划取器件的图形；

5)在键合片上镀金属Cu，作为上电极层；

6)旋涂光刻胶，光刻、显影出器件上电极形状并刻蚀出上电极的形状；

7)使用PECVD生长一定厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层；

8)旋涂光刻胶，光刻、显影出两个电极引线接口并刻蚀出两个电极的引线接口；

9)进行背面深硅刻蚀，完成梁的释放，最终完成器件的制备。

2.根据权利要求1所述的基于压电厚膜MEMS工艺的微能量采集器的制备方法，其特征在于：

所述步骤1)为：在4英寸二氧化硅片上电镀6um厚度Cu和6.5um厚度Sn做为键合层，同时也是下电极层，其中二氧化硅片的中间为500um厚度的硅，两侧是500nm的二氧化硅；

所述步骤2)为：在4英寸的压电陶瓷片上电镀6.5um厚度Cu做为键合层，同时也是下电极层；

所述步骤5)为：在键合片上镀1um厚度的金属Cu，作为上电极层；

所述步骤7)为：使用PECVD生长500nm厚度的SiO2介质膜，作为电极的保护层。