[发明专利]高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路

权利要求书

1.一种高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其特征在于，利用工作在亚阈值区的两个MOSFET的栅源电压差△VGS补偿传统低压BJT带隙基准的高次曲率，△VGS电压具有正的二次温度系数与正的三次温度系数，而典型低压BJT带隙基准的主要曲率是由BJT发射结电压VBE的负的二次温度系数与负的三次温度系数引起的，将△VGS乘以一定系数叠加到VBE上，完全抵消了典型低压BJT带隙基准的二次曲率，同时部分抵消三次曲率，达到高精度带隙基准曲率补偿的目的。

2.如权利要求1所述的高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其特征在于，其包括：

第一功能模块，其进一步包括用于产生曲率补偿电流的第一MOSFET(金属-氧化物-硅场效应管)、第二MOSFET、第一电阻、第一等值嵌位电路，第一MOSFET的栅极连接至第一等值嵌位电路的第一输入端，第二MOSFET的栅极连接在第一电阻的第一端，第一电阻的第二端连接至第一等值嵌位电路的第二输入端；

第二功能模块，其进一步包括用于产生与绝对温度成正比的第一电流的第一BJT(双极性晶体管)、第二BJT、第二电阻，以及用于产生与绝对温度反比的第二电流的第三电阻、第四电阻，其中第一BJT的偏置电流是第二BJT的偏置电流的m倍，第二BJT的发射结面积A是第一BJT发射结面积的n倍，第三电阻的阻值等第四电阻的阻值；

以及

第三功能模块，其进一步包括第二运算放大器、第五MOSFET、第六MOSFET、第七MOSFET，第二运算放大器使得第一BJT发射结上的电压等于第二电阻上的电压加上第二BJT发射结上的电压，第二运算放大器同时使得第三电阻、第四电阻上的电压等于第一BJT发射结上电压，产生具有负的一次温度系数与负的二次温度系数的第二电流，第五MOSFET、第六MOSFET、第七MOSFET构成第一电流镜，所述第一电流镜也可以用BJT、MOSFET与BJT的组合实现，第一电流镜将曲率补偿电流、第一电流、第二电流加权叠加在一起流过第五电阻产生所述高精度带隙基准电路的输出电压。

3.如权利要求2所述的高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其特征在于，第一MOSFET的偏置电流是第二MOSFET的偏置电流的m倍，第二MOSFET的沟道宽长比(W/L)是第一MOSFET的沟道宽长比的k倍，所述曲率补偿电流具有正的一次温度系数与正的二次温度系数。

4.如权利要求3所述的高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路，其特征在于，所述第一等值嵌位电路进一步包括第一运算放大器、第三MOSFET、第四MOSFET，第三MOSFET输出端与第四MOSFET的输出端均输出曲率补偿电流。