[发明专利]用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法

说明书

本发明提供一种用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法，步骤101：将一双面抛光且抛光度相同的介质基片加工成型吸收体介质基体和介质基片外框；步骤102：清洗成型吸收体介质基体和介质基片外框；步骤103：在成型吸收体介质基体正面沉积电阻薄膜；步骤104：将成型吸收体介质基体反面朝上嵌入介质基片外框中组成一临时组合体；步骤105：使用步骤103所述工艺在所述临时组合体上沉积电阻薄膜；步骤106：将所述临时组合体分离，完成吸收体制作。采用上述方案，适用性强，可用于Al₂O₃陶瓷、熔融石英等不同介质材料多种尺寸吸收体的制作。

技术领域

本发明属于毫米波与太赫兹薄膜集成电路技术领域，尤其涉及的是一种用于连续可调波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法。

背景技术

可调衰减器是功率增益控制元件，用于电平调整，在放大器、倍频器、混频器等有源部件的研制和调试过程中，对信号或者功率进行衰减调节，从而测量这些有源部件的增益、变频损耗、压缩点和饱和输出功率等参数。为了准确的测量有源部件的性能指标，衰减器在频率范围内就需要实现功率平坦度良好，功率步进输出，所以高性能毫米波与太赫兹功率电平控制电路的研制也愈发重要。

随着太赫兹技术的不断突破，衰减器的使用频率越来越高。连续可调波导毫米波与太赫兹衰减器结构图如图1所示，所述连续可调波导毫米波与太赫兹衰减器包括波导组件1、放置于波导组件内部的吸收体组件2和螺旋差动微调组件3，其中，吸收体组件2包括圆弧形吸收体4如图2所示，上下压块和弹簧，通过弹簧的弹力使得吸收体组件2与螺旋差动微调组件3紧密接触；螺旋差动组件3安装于波导组件1上，螺旋差动组件3包括两对螺距不同的螺纹，通过旋转过程中产生的螺距差实现吸收体与传输波导之间耦合距离的连续微小调节，以达到连续调节衰减值的目的。如图2所示的圆弧形吸收体4，技术要求介质所有表面沉积相同方阻的电阻薄膜(通孔5内壁薄膜电阻可有可无，不做要求)，吸收体通过螺旋差动微调结构来实现与传输波导之间耦合距离的微小连续调节，进而实现信号的连续衰减。

这种圆弧形吸收体成型的常规方法为：先采用激光机加工吸收体介质外形和通孔，然后清洗吸收体介质基体并干燥，再使用溅射工艺在吸收体介质基体正反面溅射一层相同的电阻薄膜。采用该方法加工的吸收体，虽然在介质所有表面沉积了连续的电阻薄膜，但在侧壁区域处由于沉积了两次电阻薄膜，吸收体介质基体外形侧壁电阻薄膜方阻比正反面沉积的电阻薄膜方阻明显变小，且形成突变，导致除通孔内壁之外的所有表面无法满足均是相同方阻的要求。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种用于连续可调波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法。

本发明的技术方案如下：

一种用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法，包括以下步骤：

步骤101：将一双面抛光且抛光度相同的介质基片加工成型吸收体介质基体和介质基片外框；

步骤102：清洗成型吸收体介质基体和介质基片外框；

步骤103：在成型吸收体介质基体正面沉积电阻薄膜；

步骤104：将成型吸收体介质基体反面朝上嵌入介质基片外框中组成一临时组合体；

步骤105：使用步骤103所述工艺在所述临时组合体上沉积电阻薄膜；

步骤106：将所述临时组合体分离，完成吸收体制作。

上述步骤101中的介质基片，材料为99.6％的Al₂O₃陶瓷熔融石英，厚度为0.127mm-0.508mm。