[发明专利]一种高精度宽范围峰值电流采样电路

权利要求书

1.一种高精度宽范围峰值电流采样电路，其特征在于，应用于双N管同步整流型Buck变换器，包括SenseFET采样管(MNs)、预降压电路、箝位运算放大器(OP)、NMOS调整管(M1)和采样电阻(R1)，

SenseFET采样管(MNs)的栅极连接所述双N管同步整流型Buck变换器的上端功率管的栅极，其漏极连接功率电源(PVDD)，其源极连接预降压电路的正输入端和NMOS调整管(M1)的漏极；

预降压电路的负输入端连接所述双N管同步整流型Buck变换器的开关节点(SW)，其正负输出端分别连接箝位运算放大器(OP)的正负输入端；

调整管(M1)的栅极连接箝位运算放大器(OP)的输出端，其源极作为所述采样电路的输出端并通过采样电阻(R1)后接地；

所述预降压电路包括预降压箝位运算放大器(OP_P)、第一输入NMOS管(M2)、第二输入NMOS管(M3)、第一电流镜NMOS管(M4)和第二电流镜NMOS管(M5)，

第一输入NMOS管(M2)的栅极作为所述预降压电路的负输入端，其漏极连接功率电源(PVDD)，其源极连接预降压箝位运算放大器(OP_P)的正输入端和第一电流镜NMOS管(M4)的漏极并作为所述预降压电路的负输出端；

第二输入NMOS管(M3)的栅极作为所述预降压电路的正输入端，其漏极连接功率电源(PVDD)，其源极连接第二电流镜NMOS管(M5)的漏极并作为所述预降压电路的正输出端；

预降压箝位运算放大器(OP_P)的负输入端连接固定电位，其输出端连接第一电流镜NMOS管(M4)和第二电流镜NMOS管(M5)的栅极，第一电流镜NMOS管(M4)和第二电流镜NMOS管(M5)的源极接地。

2.根据权利要求1所述的高精度宽范围峰值电流采样电路，其特征在于，所述箝位运算放大器(OP)和预降压箝位运算放大器(OP_P)为同样结构的箝位运放，包括第一PMOS管(M6)、第二PMOS管(M7)、第三PMOS管(M10)、第一NMOS管(M8)、第二NMOS管(M9)、第三NMOS管(M11)、第四NMOS管(M12)、第五NMOS管(M13)、电容(C1)和电流源，

第一NMOS管(M8)的栅极作为所述箝位运放的负输入端，其漏极连接第一PMOS管(M6)的栅极和漏极以及第二PMOS管(M7)的栅极，其源极连接第二NMOS管(M9)的源极和第四NMOS管(M12)的漏极；

第二NMOS管(M9)的栅极作为所述箝位运放的正输入端，其漏极连接第二PMOS管(M7)的漏极和第三PMOS管(M10)的栅极；

电流源的负极连接电源电压，其正极连接第三NMOS管(M11)的栅极和漏极、第四NMOS管(M12)的栅极和第五NMOS管(M13)的栅极；

第三PMOS管(M10)的漏极连接第五NMOS管(M13)的漏极并作为所述箝位运放的输出端，电容(C1)接在第三PMOS管(M10)的栅极和漏极之间；

第一PMOS管(M6)、第二PMOS管(M7)和第三PMOS管(M10)的源极接电源电压，第三NMOS管(M11)、第四NMOS管(M12)和第五NMOS管(M13)的源极接地。