[发明专利]一种基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器

权利要求书

1.一种基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，和电源连接，用于对太赫兹波进行调制，其特征在于，包括由下而上依次设置的下绝缘介质层、石墨烯薄膜层、上绝缘介质层以及光栅层，

其中，所述光栅层为具有亚波长周期的光栅，用于对所述太赫兹波进行耦合，

所述石墨烯薄膜层为单层石墨烯，用于对所述太赫兹波进行吸收，

所述石墨烯薄膜层上设置有至少一个电极，

所述电极和所述光栅分别与所述电源导电连接。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于，还包括：

反射层，用于反射透过所述石墨烯薄膜层的所述太赫兹波，

其中，所述反射层设置在所述下绝缘介质层的底部。

3.根据权利要求2所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于，还包括：

衬底层，用于承载所述反射层，

其中，所述反射层设置在所述衬底层的顶部。

4.根据权利要求2所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，所述反射层为由金、银以及铜中任一种材料制成的镀层，

所述金属反射层的厚度为200～500nm。

5.根据权利要求1所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，所述光栅包括多个平行等间隔设置的光栅条以及两个平行设置的导电杆，

两个所述导电杆分别设置在所述光栅条的两端并导电连接，

所述导电杆与所述电源导电连接。

6.根据权利要求5所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，所述光栅为由金、银以及铝中任一种材料制成的光栅。

7.根据权利要求5所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，相邻所述光栅条之间的距离为20～70μm，

相邻所述光栅条之间的间距为10～35μm。

8.根据权利要求1所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，所述下绝缘介质层为由二氧化铪、氧化铝以及苯并环丁烯BCB中任一种材料制成的绝缘介质层，

所述下绝缘介质层的厚度为1～25μm。

9.根据权利要求1所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，所述上绝缘介质层均为由二氧化铪、氧化铝以及苯并环丁烯BCB中任一种材料制成的绝缘介质层，

所述上绝缘介质层的厚度均为1～25μm。

10.根据权利要求1所述的基于石墨烯和光栅复合结构的太赫兹调制器，其特征在于：

其中，所述电极的数量为两个，

两个所述电极对称设置在所述上绝缘介质层的两侧。