[发明专利]一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法

权利要求书

1.一种高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)提供一玻璃基板；

(2)在所述玻璃基板表面上淀积第一金属铜层；

(3)在该第一金属铜层上制作光刻胶掩膜和电镀第二金属铜层；

(4)去除光刻胶掩膜，在第一金属铜层和第二金属铜层表面淀积一层二氧化硅介质层；

(5)研磨整平第二金属铜层及二氧化硅介质层；

(6)采用薄膜加工工艺在二氧化硅介质层上制作超薄THz薄膜电路图形；

(7)去除第一金属铜层和第二金属铜层，使超薄THz薄膜电路与玻璃基板分离；

(8)清洗超薄THz薄膜电路。

2.根据权利要求1所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(2)中，采用溅射镀膜方法在玻璃基板上淀积第一金属铜层，并采用电镀铜方法将玻璃基板上的第一金属铜层加厚至2-3μm。

3.根据权利要求1所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(2)中，在该第一金属铜层上制作光刻胶掩膜，具体包括：

采用匀胶机在所述第一金属铜层表面均匀涂覆一层正性光刻胶，形成一光刻胶掩膜；

经过前烘后利用光刻机和光刻掩膜胶版进行曝光，然后显影、坚膜，形成具有多个开口的光刻胶掩膜。

4.根据权利要求3所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(3)中，在该第一金属铜层上电镀第二金属铜层，具体包括：

以具有多个开口的光刻胶掩膜为模板，采用硫酸铜镀铜液在第一金属铜层上直流电镀第二金属铜层。

5.根据权利要求4所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，在第一金属铜层上直流电镀第二金属铜层，电流密度为20～30mA/cm²；第二金属铜层厚度为13μm～15μm。

6.根据权利要求1所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(4)中，去除光刻胶掩膜，在第一金属铜层和第二金属铜层表面淀积一层二氧化硅介质层，具体包括：

采用丙酮去胶剂，去除光刻胶掩膜；

以第一金属铜层和第二金属铜层为铜掩膜，采用化学气象沉积方法，在第一金属铜层和第二金属铜层表面淀积一二氧化硅介质层。

7.根据权利要求1所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(5)中，采用研磨抛光方法减薄整平淀积的二氧化硅介质层，使二氧化硅介质层减薄至超薄THz薄膜电路需要介质厚度。

8.根据权利要求1所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(6)中，采用薄膜加工工艺在二氧化硅介质层上制作THz薄膜电路图形的方法为：

利用先用超声波清洗机对二氧化硅介质层进行清洗，去除二氧化硅介质层表面污染物；

采用真空溅射镀膜方法在二氧化硅介质上形成一层钛钨-金复合膜层；

利用匀胶机在钛钨-金复合膜层上涂覆一层均匀的正性光刻胶，利用光刻机和光刻掩膜胶版进行曝光，然后显影、坚膜；

利用钛钨腐蚀液和金腐蚀液去除非THz薄膜电路图形部分钛钨-金复合膜层，形成需要超薄THz薄膜电路图形；

采用柠檬酸金钾镀金液，对THz薄膜电路图形进行直流电镀金加厚，形成最终超薄THz薄膜电路图形。

9.根据权利要求7所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，对THz薄膜电路进行直流电镀金加厚时，电流密度为5～6mA/cm²；镀层厚度：2μm～3μm。

10.根据权利要求1所述的高精度超薄THz薄膜电路制作方法，其特征是，所述步骤(7)中，采用三氯化铁腐蚀液去除第一金属铜层和第二金属铜层，使超薄THz薄膜电路与玻璃基板分离。