[发明专利]气体注入装置及包括其的基板处理装置

说明书

本发明提供了朝基板注入工艺气体的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。该气体注入装置包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。

技术领域

实施方式涉及气体注入装置及包括该气体注入装置的基板处理装置。

背景技术

通常，可以执行多个工艺(例如沉积工艺、光刻工艺、清洁工艺等)来制造半导体器件。这些工艺中的沉积工艺可以是在基板上形成材料层的工艺。化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺可以被用作沉积工艺。

发明内容

实施方式提供了能够防止特定材料的前驱体被过度吸附在局部区域上的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。

在一方面，一种朝基板注入工艺气体的气体注入装置可以包括：基部；第一气体注入部，其设置在基部上并注入包括反应抑制官能团的第一气体；第二气体注入部，其在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开，并注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及第三气体注入部，其在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开，并注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。

在一方面，一种气体注入装置可以包括具有圆形形状的基部、以及设置在基部上并在基部的圆周方向上布置的多个气体注入部。所述多个气体注入部可以朝基板注入工艺气体。气体注入部可以包括：源气体注入部，其注入包括特定材料的前驱体的源气体；反应性气体注入部，其面对源气体注入部并注入与特定材料的前驱体反应的反应性气体；化学气体注入部，其在源气体注入部的一侧与反应性气体注入部的一侧之间，与源气体注入部和反应性气体注入部间隔开。化学气体注入部可以注入包括反应抑制官能团的化学气体。

在一方面，一种基板处理装置可以包括：反应腔室；基座，其在反应腔室中被旋转地驱动并支撑至少一个基板；以及喷淋头，其在反应腔室中设置在基座之上。喷淋头可以包括布置在基座的旋转方向上并朝基板注入工艺气体的多个气体注入部。所述多个气体注入部可以包括：第一气体注入部，其注入包括反应抑制官能团的第一气体；第二气体注入部，其在旋转方向上与第一气体注入部间隔开并注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及第三气体注入部，其在旋转方向上与第二气体注入部间隔开并注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。

在一方面，一种基板处理装置可以包括：反应腔室；基座，其设置在反应腔室中并支撑至少一个基板；以及喷淋头，其在反应腔室中设置在基座之上。喷淋头可以依次地朝基板注入包括反应抑制官能团的第一气体、包括特定材料的前驱体的第二气体、以及与特定材料的前驱体反应的第三气体。

在一方面，一种气体注入装置可以包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上的第二气体注入部，第二气体注入部仅在第一气体注入部之后可操作，用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及第三气体注入部，其在基部上在一个方向上与第二气体注入部间隔开，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，对本领域普通技术人员，特征将变得明显，附图中：

图1示出根据一些实施方式的基板处理装置的俯视图。

图2示出图1的基板处理装置的示意剖视图。

图3示出图1和2的气体注入装置的俯视图。

图4示出图1和2的气体注入装置的仰视图。

图5示出沿图1的线I-I'截取的剖视图。