[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底包括中心区域和位于中心区域周围的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和第二中心区，第一中心区的部分边缘与所述边缘区域接触，第二中心区的部分边缘与所述边缘区域接触；

在半导体衬底第一中心区的表面形成发射极鳍；

在半导体衬底第二中心区的表面形成基极鳍；

在半导体衬底边缘区域的表面形成集电极鳍。

2.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底第一中心区的表面呈矩形，所述矩形具有相对的第一边和相对的第二边，第一边延第一方向延伸，第二边延第二方向延伸，第二方向和第一方向垂直。

3.根据权利要求2所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二中心区仅位于第一中心区的在第一方向上的两侧；或者，所述第二中心区仅位于第一中心区的在第二方向上的两侧。

4.根据权利要求2所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二中心区位于第一中心区的在第一方向上的两侧、以及第一中心区的在第二方向上的一侧；或者，所述第二中心区位于第一中心区的在第二方向上的两侧、以及第一中心区的在第一方向上的一侧。

5.根据权利要求2所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二中心区仅位于第一中心区的在第一方向上的一侧、以及第一中心区的在第二方向上的一侧；所述第二中心区的表面呈“L”形。

6.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖集电极鳍的部分侧壁、基极鳍的部分侧壁和发射极鳍的部分侧壁；形成所述隔离层后，在所述基极鳍表面形成基极外延层，在所述集电极鳍表面形成集电极外延层；在所述发射极鳍表面形成发射极外延层；在所述基极鳍和基极外延层中掺杂基离子；在所述集电极鳍和集电极外延层中掺杂集电离子；在所述发射极鳍和发射极外延层中掺杂发射离子，所述发射离子的导电类型和所述集电离子的导电类型相同，且所述发射离子的导电类型和所述基离子的导电类型相反。

7.根据权利要求6所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述集电极外延层和所述发射极外延层的材料为锗化硅；所述基极外延层的材料为硅或碳化硅；所述基离子的导电类型为N型；所述集电离子和所述发射离子的导电类型为P型；

或者，所述集电极外延层的材料为硅或碳化硅；所述发射极外延层的材料为硅或碳化硅；所述基极外延层的材料为锗化硅；所述基离子的导电类型为P型；所述集电离子和所述发射离子的导电类型为N型。

8.根据权利要求6所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底边缘区域掺杂有第一阱离子；所述半导体衬底中心区域掺杂有第二阱离子，第二阱离子的导电类型和第一阱离子的导电类型相反；所述集电离子的导电类型和第一阱离子的导电类型相同。

9.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述集电极鳍、基极鳍和发射极鳍的延伸方向彼此平行。

10.根据权利要求1所述的鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一中心区的表面面积和所述第二中心区的表面面积之比值为1.2～1.5。

11.一种鳍式双极结型晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，半导体衬底包括中心区域和位于中心区域周围的边缘区域，所述中心区域包括第一中心区和第二中心区，第一中心区的部分边缘与所述边缘区域接触，第二中心区的部分边缘与所述边缘区域接触；

位于半导体衬底第一中心区表面的发射极鳍；

位于半导体衬底第二中心区表面的基极鳍；

位于半导体衬底边缘区域表面的集电极鳍。