[发明专利]带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法及薄膜电路有效

专利信息
申请号: 201711105174.4 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN107863317B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 许延峰;王进;马子腾 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;H01L27/01
代理公司: 37221 济南圣达知识产权代理有限公司 代理人: 张勇
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 带有 局部 金属 支撑 超薄 thz 薄膜 电路 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,包括:

步骤(1):在带有超薄介质的第一衬底上,采用薄膜工艺制作电路图形以形成THz薄膜电路;

步骤(2):将THz薄膜电路正面粘接到第二衬底上,并去除第一衬底;

步骤(3):在去除第一衬底的THz薄膜电路背面,制作局部加强金属支撑层;

步骤(4):对THz薄膜电路进行划切分割操作,分离THz薄膜电路与第二衬底。

2.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,所述步骤(1)中,采用旋涂或化学气相沉积的成膜工艺在第一衬底上形成一层低介电常数、低介质损耗和超薄的介质膜。

3.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,所述步骤(1)中,采用薄膜工艺,依次经过真空镀膜、光刻、电镀、腐蚀这些操作,在超薄介质薄膜上制作THz薄膜电路图形。

4.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,采用粘接剂把电路图形正面粘接到第二衬底上,并确保粘接平整。

5.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,采用化学腐蚀液去除第一衬底,使THz薄膜电路转移至第二衬底上,选用的化学腐蚀液只能腐蚀去除第一衬底,不能对第二衬底造成腐蚀。

6.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,所述步骤(3)中,采用真空镀膜方法在THz薄膜电路介质背面沉积一层金属薄膜,然后采用光刻和电镀方法制作局部加强金属支撑层。

7.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,所述步骤(4)中,采用高精度划片机,对THz薄膜电路进行划切分割操作。

8.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,所述步骤(4)中,去除粘接剂,使THz薄膜电路与第二衬底分离。

9.如权利要求1所述的一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法,其特征在于,所述步骤(4)中,对THz薄膜电路进行去清洗操作,形成最终带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路。

10.一种带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路,其特征在于,采用如权利要求1-9中任一项所述的带有局部金属支撑的超薄THz薄膜电路加工方法加工而成。

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