[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有第1导电型的半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的纵型霍尔元件，其特征在于，

所述纵型霍尔元件具备：

第2导电型的半导体层，设置在所述半导体衬底上，浓度分布恒定；

第2导电型的杂质扩散层，设置在所述半导体层上，浓度比所述半导体层高；

多个电极，在所述杂质扩散层的表面在一条直线上设置，由浓度比所述杂质扩散层高的第2导电型的杂质区域构成；以及

多个第1导电型的电极分离扩散层，在所述杂质扩散层的表面，分别设置在所述多个电极的各电极间，使所述多个电极分别分离。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，形成在所述多个电极分离扩散层各自的周围的耗尽层的最下部的位置为与所述半导体层的上表面大致相同的位置。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述杂质扩散层具有浓度随着从所述表面向所述半导体层前进而变低的浓度分布。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述杂质扩散层具有浓度随着从所述表面向所述半导体层前进而变低的浓度分布。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层及所述杂质扩散层为外延层。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层及所述杂质扩散层为外延层。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层及所述杂质扩散层为外延层。

8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层及所述杂质扩散层为外延层。

9.如权利要求1至8的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述杂质扩散层及所述电极分离扩散层的表面，除了设置所述电极的区域以外被绝缘膜覆盖。

10.如权利要求1至8的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述多个电极的数为3个以上。

11. 如权利要求1至8的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

第1导电型的元件分离扩散层，包围所述纵型霍尔元件，将所述纵型霍尔元件从周围电分离；以及

元件形成区域，设置在所述元件分离扩散层的周围，形成有构成用于处理来自所述纵型霍尔元件的输出信号、或者向所述纵型霍尔元件供给信号的电路的元件，

所述元件形成区域具有第2导电型的阱，

所述阱与所述杂质扩散层具有相同的深度及相同的浓度分布。