[发明专利]垂直结构薄膜晶体管的制造方法及垂直结构薄膜晶体管

权利要求书

1.一种垂直结构薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在基板上分别形成第一绝缘层和第二金属层，并通过第一光罩图案化所述第一绝缘层、第二金属层以分别形成垫高绝缘层、源极，其中，所述源极位于所述垫高绝缘层上；

在源极和所述基板上形成氧化物半导体层，并通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层形成有源层，并对所述氧化物半导体层部分区域掺杂氢离子形成位于有源层两侧的掺杂层，其中一侧的掺杂层位于源极上，另一侧的掺杂层至少部分形成漏极，并所述漏极位于所述源极的侧下方，所述氧化物半导体层还通过掺杂氢离子形成位于所述基板上的像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述像素电极与未位于所述源极上的掺杂层同层设置；

在所述有源层、掺杂层上依次形成第二绝缘层、第一金属层和第三绝缘层，并通过第三光罩图案化所述第三绝缘层、第一金属层和第二绝缘层形成钝化保护层、栅极和栅极绝缘层。

2.如权利要求1所述的垂直结构薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：

通过所述第三光罩在钝化保护层上形成过孔。

3.如权利要求1所述的垂直结构薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二光罩和所述第三光罩为半色调光罩。

4.如权利要求1所述的垂直结构薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极位于有源层的上方，且所述栅极分别与所述源极和漏极在水平面上投影重叠的面积为0，或者，所述栅极与所述源极或漏极在水平面上投影重叠的面积为0。

5.如权利要求1所述的垂直结构薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为IGZO。

6.一种垂直结构薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

垫高绝缘层，其位于所述基板上；

源极，其位于所述垫高绝缘层上；

有源层和位于有源层两侧的掺杂层，其中一侧的掺杂层位于源极上，另一侧的掺杂层至少部分形成漏极，并所述漏极位于所述源极的侧下方；

栅极绝缘层，其形成在有源层和掺杂层上；

栅极，其位于在所述栅极绝缘层上且位于所述有源层的上方；

钝化保护层，其位于所述栅极上；

所述栅极位于有源层的上方，且所述栅极分别与所述源极和漏极在水平面上的投影重叠的面积为0，所述垂直结构薄膜晶体管还包括通过对氧化物半导体层掺杂氢离子形成位于所述基板上的像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述像素电极、所述有源层及所述漏极通过同个所述氧化物半导体层形成，所述像素电极与未位于所述源极上的掺杂层同层设置。

7.如权利要求6所述的垂直结构薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化保护层上设有过孔。

8.如权利要求6所述的垂直结构薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为IGZO，所述掺杂层通过IGZO掺杂氢离子形成。

9.如权利要求6所述的垂直结构薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的形状为“L”型或者“Z”型。