[发明专利]富铟磷化铟多晶料的循环利用方法

权利要求书

1.一种富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，按富铟程度，对富铟InP多晶进行分选，切割出富铟较轻InP多晶和富铟严重InP多晶两部分；

第二步，对富铟较轻InP多晶进行化学腐蚀、清洗以及烘干；

第三步，将所述第二步处理后的富铟较轻InP多晶拉制InP多晶棒；

第四步，对所述第三步得到的InP多晶棒进行第一电学检测，分拣出第一电学参数合格InP多晶和第一电学参数不合格InP多晶，第一电学参数合格InP多晶进行第五步，第一电学参数不合格InP多晶进行第六步；

第五步，将合格InP多晶打包入库储存；

第六步，将所述第一步切割出的富铟严重InP多晶和所述第四步得到的第一电学参数不合格InP多晶进行化学腐蚀、清洗以及烘干；

第七步，将所述第六步得到的InP多晶作为水平合成的原料进行InP多晶的合成；

第八步，对所述第七步合成的InP多晶进行第二电学检测、分拣出第二电学参数合格InP多晶和第二电学参数不合格InP多晶，第二电学参数合格InP多晶进行第五步，第二电学参数不合格的InP多晶进行积攒，积攒后循环第一步到第八步的操作。

2.如权利要求1所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第一步中，首先，通过肉眼判断富铟InP多晶的富铟程度，富铟InP多晶上部为富铟较轻InP多晶，尾部为富铟严重InP多晶；然后，采用线锯或带锯将富铟InP多晶的上部和尾部进行切割分离，得到富铟较轻InP多晶和富铟严重InP多晶。

3.如权利要求1所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，所述第二步和所述第六步中包括以下步骤，

首先，采用化学腐蚀液腐蚀2-10分钟；

然后，原料从腐蚀液中取出迅速用去离子水冲洗，所述去离子水的电阻率在15兆以上；

所述去离子水冲洗后再放入超净台内进行烘干。

4.如权利要求3所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，所述第二步和所述第六步中，腐蚀后用电阻率15兆或16兆的去离子水冲洗。

5.如权利要求3所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第二步和所述第六步中，所述化学腐蚀液为稀王水，所述稀王水是由王水与去离子水以体积比1:1-5进行混合制得，其中，制备所述稀王水的所述去离子水的电阻率在15兆以上。

6.如权利要求5所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第二步和所述第六步中，制备所述稀王水的所述去离子水的电阻率为15-18兆；采用化学腐蚀液腐蚀时间为8-10分钟。

7.如权利要求1所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第三步中，拉制InP多晶棒之前，还包括将富铟较轻InP多晶装入高压单晶炉，对富铟较轻InP多晶进行升温熔化。

8.如权利要求1所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第四步中，第一电学检测时，按照电学参数是否符合室温迁移率在4000以上，载流子浓度在5×10¹⁵以下，来分拣第一电学参数合格InP多晶和第一电学参数不合格InP多晶。

9.如权利要求1所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第七步中，InP多晶的水平合成过程还包括加入红磷。

10.如权利要求9所述的富铟磷化铟多晶料的循环利用方法，其特征在于，在所述第七步中，根据富铟程度以及水平合成过程中所用封闭石英管体积大小，在封闭前向石英管内加入红磷，其中，原料量与所述红磷的加入量的质量比为3.5:1-20:1。