[发明专利]一种制作SIGMA型锗硅的沟槽及器件的方法在审
| 申请号： | 201711107170.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107887277A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李润领;李中华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 sigma 型锗硅 沟槽 器件 方法 | ||
1.一种非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S201，在硅衬底上形成有源层；
S202，在有源层上形成晶硅栅极；
S203，形成晶硅栅极侧墙；
S204，形成锗硅硬掩化膜；
S205，锗硅光刻；
S206，锗硅干法刻蚀形成U型浅沟槽；
S207，对U型浅沟槽在常温下进行非晶化离子注入，使所述浅沟槽底部形成非晶化层；
S208，光刻胶干法剥离；
S209，TMAH处理形成SIGMA型锗硅沟槽；
S210，锗硅外延生长。
2.如权利要求1所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，在步骤S206中，锗硅干法刻蚀形成U型浅沟槽的深度小于不采用非晶化离子注入形成的沟槽的深度。
3.如权利要求1所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，在步骤S207中，非晶化离子注入的离子为Ⅳ族元素。
4.如权利要求3所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，所述的Ⅳ族元素为硅元素或者锗元素。
5.如权利要求4所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，离子注入能量范围为0.5K-10K，注入剂量范围为9.0E13/cm3-9.0E14/cm3，注入深度范围为
6.如权利要求1所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，在步骤207中，离子注入的环境温度为20℃-30℃。
7.如权利要求1所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，晶硅栅极薄膜堆栈包括厚度为的晶硅薄膜、的氮化硅、的非晶碳化物、的氧化硅盖帽层。
8.如权利要求1所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，U型锗硅浅沟槽的深度范围为
9.如权利要求1所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法，其特征在于，在步骤209中，TMAH的浓度范围为1.0wt％-30.5wt％，温度范围为20℃～80℃，并且TMAH溶液中包含低浓度的稀氟氢酸。
10.一种SIGMA型锗硅半导体器件的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的非晶化离子注入制作SIGMA型锗硅沟槽的方法。
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