[发明专利]用于微纳尺度物质投送及提取的中空悬臂探针有效

专利信息
申请号: 201711111195.7 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107879309B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 宋杰;齐岱宗 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00;G01Q70/10;G01Q70/16
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王毓理;王锡麟
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 尺度 物质 投送 提取 中空 悬臂 探针
【权利要求书】:

1.一种中空悬臂探针的制备方法,其特征在于,通过在基底表面通过各向异性腐蚀得到带有悬臂梁的四棱锥形凹洞,然后将一覆盖层置于凹洞上方并进行低温氧化沉积,最后去除凹洞底部多余基底并以光刻蚀工艺弭去凹洞洞口及悬臂梁另一端,得到扁立方体结构的中空悬臂探针,该中空悬臂探针由漏斗状的探针和管状的悬臂梁组成,其中:悬臂梁与探针内部中空且相连通以输送物质;

所述的覆盖层的下表面与基底的上表面不相接触且最近距离为1微米。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述方法具体包括:

1)在作为基底的硅片表面以反应离子刻蚀工艺蚀出悬臂梁轮廓,在悬臂梁轮廓一端利用KOH的各向异性腐蚀产生一个四棱锥形凹洞;

2)另取一硅片作为覆盖层倒覆其上,控制覆盖层的下表面与基底的上表面的表面间距为1微米;

3)以栅氧化工艺在作为基底的硅片表面形成氧化生长层,此过程中悬臂梁倒模轮廓的边缘亦将与位于上方的作为覆盖层的硅片以生长出的氧化层相连接;

4)以卤素气体将基底除去;

5)以光刻蚀工艺弭去针尖及悬臂梁尾部,得到中空悬臂探针。

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