[发明专利]一种半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，其特征在于：所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。

2.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述抗吸附材料层对胶气的吸附能力低于所述电极对胶气的吸附能力。

3.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述抗吸附材料层的厚度足够薄以使其不影响所述电极进行焊线。

4.根据权利要求3所述的一种半导体元件，其特征在于：所述抗吸附材料层的厚度为5~50nm。

5.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述抗吸附材料层的材料选用八面体间隙半径比金小的金属或合金材料。

6.根据权利要求5所述的一种半导体元件，其特征在于：所述抗吸附材料层的材料选用铂、铱、镍、铜金属或其合金。

7.根据权利要求1所述的一种半导体元件，其特征在于：所述半导体叠层上的非电极区域设有吸附材料，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力强于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力。

8.根据权利要求7所述的一种半导体元件，其特征在于：所述吸附材料与所述电极电性连接，作为电极的扩展条之用。

9.根据权利要求7所述的一种半导体元件，其特征在于：所述吸附材料的厚度介于1~100nm。

10.根据权利要求7所述的一种半导体元件，其特征在于：所述吸附材料设置在所述半导体元件的侧壁上。

11.根据权利要求7所述的一种半导体元件，其特征在于：所述吸附材料与所述电极的距离在300mm以内。

12.根据权利要求7所述的一种半导体元件，其特征在于：所述吸附材料含有金属材料或者纳米氧化物材料或者石墨烯或者活性炭或者多孔陶瓷。

13.根据权利要求12所述的一种半导体元件，其特征在于：所述金属材料含有Pd或LaNi₅或NdNi₅或CaNi₅或TiNi₅或LaAl₅或LaFe₅或LaCr₅或LaCu₅或LaSi₅或LaSn₅或FeTi或MnTi或CrTi或TiCu或MgZn₂或MgZn₂或NiMg₂或ZrCr₂或ZrMn₂或前述任意组合。

14.根据权利要求12所述的一种半导体元件，其特征在于：所述纳米氧化物材料含有ZrO₂或CuO或TiO₂或Al₂O₃或前述任意组合。