[发明专利]包括支撑图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体衬底上的多个柱结构；以及

支撑图案，其与所述多个柱结构的每个的至少一部分接触，所述支撑图案将所述多个柱结构彼此连接，

其中所述支撑图案包括暴露所述多个柱结构的侧表面的支撑孔，所述支撑孔包括彼此间隔开的第二支撑孔和至少一个第一支撑孔，所述第一支撑孔和所述第二支撑孔具有彼此不同的形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑孔还包括具有与所述第一支撑孔和所述第二支撑孔的形状不同的形状的第三支撑孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个柱结构的每个在俯视图中具有圆形剖面，并且所述支撑孔在俯视图中具有圆形剖面或多边形剖面，所述支撑孔的每个的剖面通过连接所述多个柱结构的所述圆形剖面的中心点被限定。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个柱结构以相同的间隔彼此间隔开，并且围绕所述多个柱结构的每个的六个柱结构构成蜂巢形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述半导体衬底包括单元区域和虚设区域，

所述多个柱结构包括在所述单元区域上的存储柱结构和在所述虚设区域上的虚设柱结构，仅所述多个柱结构中的所述存储柱结构执行存储功能，以及

所述支撑孔暴露所有所述存储柱结构的侧表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述支撑孔在所述单元区域上。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述虚设柱结构中的至少一个在所述单元区域上并具有通过所述支撑孔暴露的侧表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑孔的每个同时暴露三到七个柱结构的侧表面。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

多个第一支撑孔在所述单元区域的中央部分上，

至少一个第二支撑孔在所述单元区域的边缘部分上，

所述多个第一支撑孔具有彼此相同的形状，以及

所述多个第一支撑孔的总数大于所述至少一个第二支撑孔的总数。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述多个第一支撑孔在俯视图中具有圆形剖面，每个圆形剖面的周界在俯视图中延伸穿过通过所述多个第一支撑孔暴露的柱结构的剖面的中心点，以及

所述至少一个第二支撑孔在俯视图中具有多边形剖面，所述多边形剖面的周界在俯视图中延伸穿过通过所述至少一个第二支撑孔暴露的柱结构的剖面的中心点。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个柱结构的每个是底电极并具有插塞形状或杯形状。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

电介质层，其共形地覆盖所述支撑图案的表面和所述多个柱结构的表面；以及

在所述电介质层上的顶电极。

13.一种半导体器件，包括：

在半导体衬底上的多个柱结构，所述半导体衬底包括单元区域和虚设区域；以及

支撑图案，其与所述多个柱结构的每个的至少一部分接触，所述支撑图案将所述多个柱结构彼此连接，

其中所述支撑图案包括暴露所述多个柱结构的侧表面的支撑孔，所述支撑孔包括彼此间隔开的多个第一支撑孔和至少一个第二支撑孔，

其中所述多个第一支撑孔具有与所述至少一个第二支撑孔的形状不同的形状，以及

其中所述支撑孔在所述单元区域上。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述支撑孔的每个同时暴露三至七个柱结构的侧表面。