[发明专利]一种单片微波集成电路中静电防护结构及其制造方法

权利要求书

1.一种单片微波集成电路中静电防护结构，其特征在于：在晶体管的基区-发射区、基区-集电区之间分别并联设置有呈背对背结构设置的二极管组；每一个所述二极管组中包括两个二极管，所述两个二极管制备在生长晶体管的外延片上，利用外延片上已有的基区-发射区、基区-集电区，形成阳极相互连接或者阴极相互连接形成背对背结构。

2.根据权利要求1所述的一种单片微波集成电路中静电防护结构，其特征在于：所述晶体管为HBT管。

3.一种单片微波集成电路中静电防护结构，其特征在于：包括至少一个制备在外延片上的晶体管，在外延片上制备有独立于所述晶体管的两个二极管；两个二极管共用一个阻挡层，并且两个二极管分别具有依次层叠设置在阻挡层上的收集层、基极层和发射层；两个二极管彼此的收集层、基极层和发射层相互独立设置，形成阴极相互连接的背对背二极管组；

其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的发射区。

4.一种单片微波集成电路中静电防护结构，其特征在于：包括至少一个制备在外延片上的晶体管，在外延片上制备有独立于所述晶体管的两个二极管；两个二极管共用阻挡层、收集层和基极层，并且两个二极管分别具有层叠设置在基极层上的发射层；两个二极管彼此的发射层相互独立设置，形成阳极相互连接的背对背二极管组；

其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的发射区。

5.根据权利要求3或4所述的一种单片微波集成电路中静电防护结构，其特征在于：所述晶体管为HBT管。

6.一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在外延片上通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀制备出至少一个晶体管，所述外延片在晶体管以外的区域还具有阻挡层、收集层、基极层和发射层；

2)通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀在所述阻挡层、收集层、基极层和发射层中制备两个二极管，两个二极管共用阻挡层、收集层和基极层，并且两个二极管分别具有层叠设置在基极层上的发射层；两个二极管彼此的发射层相互独立设置，形成阳极相互连接的背对背二极管组；

3)通过金属连线，将其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阴极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阴极连接至晶体管的发射区。

7.一种单片微波集成电路中静电防护结构的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在外延片上通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀制备出至少一个晶体管，所述外延片在晶体管以外的区域还具有阻挡层、收集层、基极层和发射层；

2)通过化学腐蚀过程或者干法刻蚀在所述阻挡层、收集层、基极层和发射层中制备两个二极管，两个二极管共用一个阻挡层；两个二极管彼此的收集层、基极层和发射层相互独立且层叠设置在阻挡层上，形成阴极相互连接的背对背二极管组；

3)通过金属连线，将其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的集电区；或者，其中一个二极管的阳极连接至晶体管的基区，另一个二极管的阳极连接至晶体管的发射区。