[发明专利]半导体器件及其形成方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成浮置栅材料层和位于浮置栅材料层上的硬掩膜材料层，图形化所述硬掩膜材料层和浮置栅材料层，形成硬掩膜层和浮置栅层，刻蚀所述硬掩膜层露出的所述衬底，在所述衬底内形成沟槽；

在所述浮置栅层的侧壁上形成保护层，形成所述保护层的步骤包括：对所述浮置栅层的侧壁进行氧化处理，所述氧化处理为氧等离子体处理，等离子体对浮置栅层的侧壁进行轰击，沿垂直于所述浮置栅层侧壁的方向上，使所述浮置栅层侧壁的部分厚度材料转化成保护层；

形成所述保护层后，在所述沟槽内形成隔离结构；

形成所述隔离结构后，去除所述硬掩膜层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述浮置栅层的材料为多晶硅，所述硬掩膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅，所述保护层的材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧等离子体处理所采用的反应气体包括O₂、O₃和N₂O中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧等离子体处理所采用的反应气体为O₃，所述氧等离子体处理的参数包括：反应气体的流量为50sccm至300sccm，工艺时间为10秒至50秒。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧等离子体处理所采用的工艺为缝隙平面天线工艺。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缝隙平面天线工艺所采用的反应气体为O₂。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括：

在所述沟槽内填充满隔离材料，所述隔离材料还覆盖所述硬掩膜层顶部；

采用平坦化工艺，去除高于所述硬掩膜层顶部的隔离材料；

在所述平坦化工艺后，对剩余隔离材料进行回刻处理形成隔离结构，所述隔离结构顶部与所述衬底顶部齐平，或者，所述隔离结构顶部高于所述衬底顶部。