[发明专利]太阳能电池光接收表面的UV固化

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在硅基板的光接收表面上形成钝化介电层；

在所述钝化介电层下形成抗反射涂层；

将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射；以及

在将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射之后，对所述抗反射涂层进行热退火。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射包括将所述抗反射涂层暴露于波长在250纳米至450纳米范围内的光。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射包括持续暴露的时间在1秒至1天范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中对所述抗反射涂层进行热退火包括在200摄氏度至500摄氏度范围内的温度下加热。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述加热包括使用选自包含以下工艺的组的工艺：形成气体退火工艺、快速热退火工艺、红外加热工艺、炉加热工艺、激光退火工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述抗反射涂层之后并且在将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射之前，在200摄氏度至500摄氏度范围内的温度下加热。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化介电层包括在N型单晶硅基板的光接收表面上形成热氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化介电层包括通过原子层沉积形成所述钝化介电层，所述钝化介电层选自包含氧化硅的组。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述抗反射涂层包括形成氮化硅层。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述钝化介电层之后，在所述钝化介电层上形成N型微晶或多晶硅层，其中在所述N型微晶或多晶硅层上形成所述抗反射涂层。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述钝化介电层之后，在所述钝化介电层上形成中间材料层，所述中间材料层选自包含以下层的组：非晶硅层、富硅氮化硅层和III-V族材料层，其中在所述中间材料层上形成所述抗反射涂层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述抗反射涂层包括形成其中具有氢的所述抗反射涂层，所述方法还包括：

从所述抗反射涂层中去除所述氢的至少部分。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述抗反射涂层的所述热退火期间，从所述抗反射涂层中去除所述氢的所述部分。

14.一种根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。

15.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在硅基板的光接收表面上形成钝化介电层；

在所述钝化介电层下形成抗反射涂层；

增加所述硅基板的所述光接收表面界面处的饱和电流密度；以及

在增加所述饱和电流密度之后，对所述抗反射涂层进行热退火。

16.根据权利要求15所述的方法，其中增加所述界面处的所述饱和电流密度包括将所述抗反射涂层暴露于波长在250纳米至450纳米范围内的紫外辐射并持续时间1秒至1天。

17.根据权利要求15所述的方法，其中对所述抗反射涂层进行热退火包括使用选自包含以下工艺的组的工艺，在200摄氏度至500摄氏度范围内的温度下加热：形成气体退火工艺、快速热退火工艺、红外加热工艺、炉加热工艺、激光退火工艺。