[发明专利]用于改善铜片预氧化时表面氧化均匀的治具的制备和使用方法有效
| 申请号： | 201711115055.7 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108155102B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 祝林;贺贤汉;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C23C8/12 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜片 表面氧化 烧结面 预氧化 治具 制备 产品表面 方便操作 氧化状态 支架形成 左右两侧 边缘处 小空间 覆铜 氧气 陶瓷 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种治具在铜片预氧化工艺中的使用方法，其特征在于：具体如下：铜片预氧化时，将铜片前后端放在传送带上两个陶瓷支架上，铜片烧结面朝下，将两个L形挡板治具分别放在传送带上紧靠铜片左右两侧面，L形挡板治具的90度夹角背向铜片放置，氧气从炉膛底部排气孔通入，进行铜片预氧化工艺；
所述治具的制备方法如下：
步骤一、在陶瓷正反面覆上铜箔；
步骤二、用激光切割机将步骤一中得到的工件切成预定的尺寸，同时在工件正面中间切一刀，切缝深度30％～50％陶瓷厚度；
步骤三、沿着中间切缝反方向将工件折成90度，呈L形状即得到用于改善铜片预氧化时表面氧化均匀的治具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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