[发明专利]多层纵向OTP存储器在审
| 申请号： | 201711115765.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109817622A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠;K·J·韩 | 申请（专利权）人： | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/095 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电板 导电柱 存储单元 绝缘电介质层 半导体层 材料层 肖特基 多层 存储器技术 肖特基接触 掺杂类型 存储数据 电路接口 交叉点处 外部电路 行列排列 相交处 相异 绝缘 相交 存储 | ||
1.多层纵向OTP存储器，其特征在于，含有：
至少3层导电板，各层导电板彼此绝缘，各层导电板皆设置有电路接口，用于与外部电路连接；
按M×N行列排列的导电柱，M和N皆为大于2的整数；
每一导电柱皆与各层导电板相交，在导电板与导电柱的相交处，导电板与导电柱之间设置有存储单元；
所述存储单元由掺杂类型相异的两个半导体层以及设置于两个半导体层之间的绝缘电介质层构成；
或者，所述存储单元由符合在该交叉点处产生肖特基接触所需的两个肖特基材料层以及设置于两个肖特基材料层之间的绝缘电介质层构成。
2.如权利要求1所述的多层纵向OTP存储器，其特征在于，每一行导电柱皆与一根与该行对应的行连接线形成电路连接，每一列导电柱皆与一根与该列对应的列连接线形成电路连接。
3.如权利要求1所述的多层纵向OTP存储器，其特征在于，所述导电板和导电柱的材质分别为掺杂类型相异的半导体材料。
4.如权利要求1所述的多层纵向OTP存储器，其特征在于，所述导电柱垂直于导电板。
5.如权利要求1所述的多层纵向OTP存储器，其特征在于，所述存储单元由第一材料层、第二材料层和绝缘电介质层构成，第一材料层、第二材料层和绝缘电介质层皆为环绕导电柱设置，第一材料层与导电柱直接接触，第二材料层与导电板直接接触，绝缘电介质层位于第一材料层和第二材料层之间；
第一材料层和第二材料层的材质分别为掺杂类型相异的半导体材料；
或者，第一材料层和第二材料层的材质分别为符合在该交叉点处产生肖特基接触所需的两种材料。
6.如权利要求1所述的多层纵向OTP存储器，其特征在于，绝缘电介质区的厚度为预定值，对应于每个所述一次性可编程存储器单元的击穿电压。
7.如权利要求5所述的多层纵向OTP存储器，其特征在于，所述第一材料层的材质为P型半导体材料，所述第二材料层的材质为N型半导体材料；
或者，所述第一材料层的材质为N型半导体材料，所述第二材料层的材质为P型半导体材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
