[发明专利]一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法。

背景技术

现有的半导体制造技术中，有一些制造工艺需要在真空环境下进行的，这些半导体领域的工艺机台若存在问题，则会影响到其内工艺的质量，从而影响最终成型的半导体元器件的质量。

目前业界普遍采用的方法是利用压力计检测炉管密闭空间内的真空压力。这种做法主要存在两个问题：1)当机台管路连接处出现连接松动存在微漏点时，在真空环境下，由于炉管内外压力差的存在，微漏点的影响在真空上并未显现反应出来；2)当炉管内真空回压或者有压力波动时，外部环境气体就有可能从微漏点处进入炉管内部，影响炉管内部的工艺气体成分，进而影响产品工艺稳定性，严重时会导致工艺硅片报废。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种旨在将氧气分析仪和真空压力计两者结合，综合判定多晶硅炉管机台内真空工艺环境是否符合工艺需求的真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法。

具体技术方案如下：

一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台，其中，所述半导体工艺机台包括一密闭腔体，所述密闭腔体上设有排气管道；还包括，

抽真空模块，与所述排气管道连接，用于对所述半导体工艺机台作抽真空处理；

压力检测模块，于所述排气管道上设置，用于检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；

氧气分析模块，于所述排气管道上设置，对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。

优选的，所述抽真空模块为真空泵装置。

优选的，于所述真空泵装置上设置一抽气阀。

优选的，所述压力检测模块为压力检测仪。

优选的，所述氧气分析模块为氧气分析仪，设置于所述抽真空模块与所述压力检测模块之间。

优选的，所述半导体工艺机台为多晶硅炉管机台。

优选的，所述多晶硅炉管机台包括炉管、晶舟底部的密封罩，所述炉管和所述密封罩密闭接触形成所述密闭空间。

一种多晶硅炉管机台的真空监控方法，应用于上述所述的真空监测系统，其中包括以下步骤：

步骤S1，所述半导体工艺机台的排气管道上同时配置所述氧气分析模块和所述压力检测模块；

步骤S2，利用所述抽真空模块对所述半导体工艺机台作抽真空处理，直至所述密闭腔体的压力稳定；

步骤S3，利用所述压力检测模块检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；同时，利用所述氧气分析模块对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内；

步骤S4，如果所述半导体工艺机台内的压力和氧气含量均在半导体制作工艺环境允许的范围内，则半导体制作工艺继续进行；反之，立刻停止半导体制作工艺，反馈至所述半导体工艺机台。

本发明的技术方案有益效果在于：公开了一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法，将氧气分析仪和真空压力计两者结合，综合判定多晶硅炉管机台内真空工艺环境是否符合工艺需求，进而有效保证了多晶硅炉管机台真空工艺的稳定性能。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为本发明一种真空监测系统的流程图；

图2为本发明的实施例中，关于半导体工艺机台的装置图；

图3为本发明的实施例中，关于多晶硅炉管机台的真空监控方法的原理框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

本发明包括一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台1，其中，如图2所示，半导体工艺机台1包括一密闭腔体10，密闭腔体10上设有排气管道11；还包括，