[发明专利]用于间距倍增的集成电路制造

权利要求书

1.一种集成电路间距倍增方法，其特征在于，包括：

形成多个占位部件于衬底上，每两个所述占位部件之间由一个占位沟槽隔开，所述占位部件包括牺牲层以及覆盖于所述牺牲层顶部的阻挡层，所述阻挡层不直接接触所述衬底；

沉积间隔材料层在所述占位部件的顶部和侧壁以及所述占位沟槽的底部；以及

移除位于所述占位部件的顶部和所述占位沟槽的底部的所述间隔材料层，并移除所述占位部件以形成在所述衬底上的间隔部件，其中，所述间隔部件包括保留于所述占位部件两侧壁的所述间隔材料层；

所述间隔材料层包括硬度大于所述牺牲层的含氧化合物，移除所述间隔材料层，并移除所述占位部件的步骤包括：

第一次蚀刻，包括蚀刻位于所述占位部件的顶部以及所述占位沟槽的底部的所述间隔材料层，以及蚀刻部分的所述阻挡层；

第二次蚀刻，包括蚀刻剩余的所述阻挡层以及蚀刻部分的所述牺牲层；以及

剥离剩余的所述牺牲层，在所述第一次蚀刻时，包括使用四氟化碳气体和三氟化碳气体，且所述四氟化碳气体的用量大于所述三氟化碳气体的用量；在所述第二次蚀刻时，包括使用所述四氟化碳气体和所述三氟化碳气体，且所述四氟化碳气体的用量小于所述三氟化碳气体的用量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔材料层包括硬度大于所述牺牲层的含氮化合物，移除所述间隔材料层，并移除所述占位部件的步骤包括：

蚀刻所述阻挡层、位于所述阻挡层侧壁和顶部的所述间隔材料层以及位于所述占位沟槽底部的所述间隔材料层，保留牺牲层以及位于所述牺牲层两侧壁的所述间隔材料层；以及剥离所述牺牲层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔部件包括第一间隔部件、第二间隔部件、和第三间隔部件；以及所述占位部件包括第一占位部件和与所述第一占位部件相邻的第二占位部件，其中，所述第一占位部件与所述第二占位部件宽度相等，由位于所述第一占位部件两侧的间隔材料层构成所述第一间隔部件和所述第二间隔部件，以及由位于所述第二占位部件临近所述第一占位部件一侧的间隔材料层构成所述第三间隔部件，以及

所述集成电路间距倍增方法还包括根据以下公式将第一最终间距和第二最终间距的比例调整为预设比例：

其中，所述第一最终间距为所述第一间隔部件与所述第二间隔部件之间的距离，所述第二最终间距为所述第二间隔部件与所述第三间隔部件之间的距离，A为所述占位部件的宽度，B为所述占位沟槽的宽度，C为位于所述占位部件侧壁的所述间隔材料层的厚度，r为所述预设比例。

4.一种集成电路制造方法，包括根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路间距倍增方法。