[发明专利]图像检测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种图像检测装置的制造方法，包括︰

提供具有一前表面及一背表面的一基底；

自该前表面去除基底的一第一部分，以于该基底内形成一第一沟槽；

形成一第一隔离结构于该第一沟槽内，其中该第一隔离结构具有一上表面背向于该背表面；

自该上表面去除该第一隔离结构的一第二部分及去除该基底的一第三部分，以形成穿过该第一隔离结构并延伸于该基底内的一第二沟槽；

形成一第二隔离结构于该第二沟槽内；

形成一光检测区于该基底内且邻近于该前表面，其中该第二隔离结构围绕该光检测区；以及

自该背表面去除该基底的一第四部分，以露出该第二隔离结构的一第一底部及该光检测区的一背侧。

2.如权利要求1所述的图像检测装置的制造方法，其中形成该第二隔离结构于该第二沟槽内包括：

实施一等离子体辅助原子层沉积制程，以形成一绝缘层于该前表面上方及该第二沟槽内；以及

去除该第二沟槽以外的该绝缘层，其中余留于该第二沟槽内的该绝缘层形成该第二隔离结构。

3.如权利要求1所述的图像检测装置的制造方法，还包括：

在形成该第二沟槽之后且在形成该第二隔离结构之前，形成一钝化护层于该第二沟槽内，以覆盖该第二沟槽的一内壁及一下表面，其中该钝化护层掺杂了硼、磷、氮、砷或氟，该第二隔离结构形成于该钝化护层上，且去除该基底的该第四部分还包括去除该钝化护层的一第二底部。

4.如权利要求3所述的图像检测装置的制造方法，其中形成该钝化护层及该第二隔离结构包括：

实施一第一等离子体辅助原子层沉积制程，以形成掺杂了硼、磷、氮、砷或氟的一第一绝缘层于该前表面上及该第二沟槽内；

实施一第二等离子体辅助原子层沉积制程，以形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上；以及

去除该第二沟槽以外的该第一绝缘层及该第二绝缘层，其中余留于该第二沟槽内的该第一绝缘层形成该钝化护层，而余留于该第二沟槽内的该第二绝缘层形成该第二隔离结构。

5.如权利要求4所述的图像检测装置的制造方法，还包括︰

在形成该第一隔离结构之后且在形成该第二沟槽之前，形成一保护层于该前表面及该第一隔离结构上，其中该第二沟槽更穿过该保护层，且去除该第二沟槽以外的该第一绝缘层及该第二绝缘层还包括去除该保护层。

6.如权利要求5所述的图像检测装置的制造方法，还包括︰

在形成该第一沟槽之前，形成一停止层于该前表面上，其中该第一沟槽穿过该停止层，该保护层形成于该停止层上，且该停止层于去除该保护层之后去除。

7.如权利要求5所述的图像检测装置的制造方法，其中去除该第二沟槽以外的该第一绝缘层及该第二绝缘层以及去除该保护层包括︰

实施一化学机械研磨制程，以去除该第二沟槽以外的该第一绝缘层及该第二绝缘层以及去除该保护层。

8.如权利要求1所述的图像检测装置的制造方法，其中去除该基底的该第四部分包括︰

自该背表面薄化该基底，以露出该第二隔离结构的该第一底部及该光感测区的该背侧。

9.如权利要求1所述的图像检测装置的制造方法，还包括︰

在形成该光感测区之后且在去除该基底的该第四部分之前，形成一主动装置或一被动装置于该前表面上。

10.如权利要求1所述的图像检测装置的制造方法，还包括︰

在去除该基底的该第四部分之后，形成一彩色滤光片于该背表面上方。