[发明专利]一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711116770.2 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107957303A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 姜昱丞;王彬;刘国珍;赵润;高炬 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 穿戴 非晶碳基 应力 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）以硅片为衬底，在衬底上生长氧化层为牺牲层；采用化学或物理的方法，在氧化层表面生长非晶碳a-C薄膜；
（2）将柔性衬底粘贴于a-C薄膜表面，再采用酸腐蚀方法将牺牲层腐蚀后，得到一种a-C薄膜/柔性衬底结构的柔性电子材料；
（3）采用蒸发镀银方法在a-C薄膜两端制备银电极，再将电极用导电胶带粘贴引出，得到一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器。
2.根据权利要求1所述的一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器的制备方法，其特征在于：所述的柔性衬底的材料为聚乙烯或胶带中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器的制备方法，其特征在于：所述的牺牲层为SiO2或MgO中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器的制备方法，其特征在于：在衬底硅片表面自然生长氧化层SiO2为牺牲层，采用磁控溅射或脉冲激光沉积方法，将非晶碳a-C薄膜生长于氧化层表面；以聚乙烯PE膜为柔性衬底，将聚乙烯膜加热至190～210℃，粘贴于非晶碳a- C薄膜表面，得到Si/SiO2/a-C/PE结构的样品；将样品置于质量浓度为5%的氟化氢溶液中，腐蚀处理2～5分钟，得到一种a-C/PE柔性电子材料。
5.根据权利要求1所述的一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器的制备方法，其特征在于：在衬底硅片表面生长氧化层MgO为牺牲层，采用磁控溅射或脉冲激光沉积方法，将非晶碳a-C薄膜生长于氧化层表面；以聚乙烯PE膜为柔性衬底，将聚乙烯膜加热至190～210℃，粘贴于a-C薄膜表面，得到Si/MgO/a-C/PE结构的样品；将样品置于质量浓度为36%的醋酸溶液中，腐蚀处理120～150分钟，得到一种a-C/PE柔性电子材料。
6.一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器，其特征在于：在柔性衬底（4）上以非晶碳a-C薄膜（3）为压阻材料, a-C薄膜（3）的两端设置银电极（2），由导电胶（1）引出。
7.根据权利要求6所述的一种柔性可穿戴非晶碳基应力传感器，其特征在于：所述的柔性衬底的材料为聚乙烯或胶带中的一种。
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