[发明专利]一种用于大型显示器LED芯片总成

权利要求书

1.一种用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、P-N外延结构、多层独立制备的铟锡金属氧化物膜；

第一基板：第一基板上有未分裂的多个P-N外延结构，第一基板与第二基板之间由粘合层固定；

第二基板：第二基板通过粘合层固定有多个第一基板；

P-N外延结构：垒晶在同一个第一基板上的多个P-N外延结构，每个第一基板上的各P-N外延结构之间暴露的侧边由绝缘层覆盖；

多层独立制备的铟锡金属氧化物膜：设置于P-N外延结构上表面。

2.根据权利要求1所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，所述第二基板的第一表面为粗糙且带有凹凸回沟表面，与制备有垒晶层第一基板通过粘合层固定的第二基板的第二表面为图形化表面，所述第二基板选自表面有铜箔键合的Al₂O₃或AlN陶瓷基片的复合基板。

3.根据权利要求1所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，通过粘合层固定于第二基板的制备有垒晶层的第一基板有三种，包括三种原色。

4.根据权利要求3所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，通过粘合层固定于第二基板的每个制备有垒晶层的第一基板上都是一组单一颜色的P-N外延结构，颜色选自：红色、绿色和蓝色。

5.根据权利要求4所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，通过粘合层固定于第二基板的每个制备有垒晶层的第一基板上单一颜色的P-N外延结构相互之间成一列摆布，第一基板上的红色、绿色和蓝色，三色P-N外延结构成规则交叉固定设置于第二基板上。

6.根据权利要求1所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，所述设置于P-N外延结构上表面多层独立的铟锡金属氧化物层，其中多层为3-5层，铟锡金属氧化物为氧化铟锡层。

7.根据权利要求6所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，所述P-N外延结构上表面3-5层独立的氧化铟锡层，其中各层氧化铟锡层中的In2o3与SnO2的质量比为15：1-5：1之间。

8.根据权利要求7所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，所述P-N外延结构上表面3-5层独立的氧化铟锡层，其中各层氧化铟锡层中的In₂o₃与SnO₂的质量比均不相同，从下之上，第一层氧化铟锡层至最上一层氧化铟锡层中的In2o3的含量降低，SnO₂的含量升高。

9.根据权利要求8所述的用于大型显示器LED芯片总成，其特征在于，所述P-N外延层上3-5层独立的氧化铟锡层，其总厚度≤250nm。