[发明专利]一种提高聚合物击穿强度和储能密度的方法在审
申请号: | 201711118609.9 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107903441A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 陈枫;吴玲玉;吴凯;傅强 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C08K9/02 | 分类号: | C08K9/02;C08K3/38;C08L23/06;C08L33/12;C08L27/16;C09K5/06 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 刘文娟 |
地址: | 610065 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 聚合物 击穿 强度 密度 方法 | ||
1.提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,所述方法为:在聚合物中加入羟基化六方氮化硼,其中,聚合物与羟基化六方氮化硼的质量比为:聚合物100重量份,羟基化六方氮化硼6~10重量份;并且所述聚合物为聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯;
所述羟基化六方氮化硼采用下述方法制得:
1)羟基化:将六方氮化硼加入硝酸中,在室温下超声并搅拌3~7h;然后于140~160℃反应20~30h得混合物;其中,六方氮化硼与硝酸的用量比为:1g~6g六方氮化硼:1L硝酸;
2)后处理:将所得混合物用去离子水稀释后用碱溶液调至中性,通过真空辅助抽滤;将抽滤得到的产物再用去离子水稀释,然后在室温下超声分散均匀后抽滤;重复此步骤至少三次;最后将后处理的产物干燥即可。
2.根据权利要求1所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,所述聚合物与羟基化六方氮化硼的质量比为聚合物100重量份,羟基化六方氮化硼6重量份。
3.根据权利要求1所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,
步骤1)中所述硝酸的质量浓度为65.0%~68.0%;或:
步骤1)中所述的超声搅拌时间优选为5h。
4.根据权利要求1所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,步骤2)中两次稀释后氮化硼的浓度为0.1~0.5mg/ml。
5.根据权利要求1或2所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,所述提高聚合物击穿强度和储能密度的方法通过下述方式实施:
将羟基化六方氮化硼与溶剂超声搅拌混匀得到羟基化六方氮化硼溶液;
将聚合物与溶剂搅拌混匀得到聚合物溶液;
再将羟基化六方氮化硼溶液与聚合物溶液搅拌混匀制得聚合物/羟基化六方氮化硼复合物。
6.根据权利要求5所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,当所述聚合物为聚偏氟乙烯时,所述提高聚合物击穿强度和储能密度的方法为:
将羟基化六方氮化硼加入溶剂1中,利用超声搅拌混合均匀得到羟基化六方氮化硼溶液;将聚偏氟乙烯加入溶剂2中,在60~80℃搅拌1~2h,得到聚偏氟乙烯溶液;然后将羟基化六方氮化硼溶液与聚偏氟乙烯溶液超声搅拌均匀后,通过溶液共沉淀的方法制备聚偏氟乙烯/羟基化六方氮化硼复合物;最后通过真空抽滤得到聚偏氟乙烯/羟基化六方氮化硼的沉淀物,再于真空烘箱中干燥20~30h即可;其中,所述溶剂1与溶剂2相同。
7.根据权利要求6所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,所述溶剂1和溶剂2选自:二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺或磷酸三乙酯中的一种。
8.根据权利要求6或7所述的提高聚合物击穿强度和储能密度的方法,其特征在于,所述聚偏氟乙烯/羟基化六方氮化硼的沉淀物干燥后通过热压得到聚偏氟乙烯/羟基化六方氮化硼薄膜。
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