[发明专利]一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，该电池由下至上依次包括：第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12)，第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。

2.根据权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层(2)为三氧化二铝、氧化硅、氧化钛、氟化锂、氟化镁或氮化硅中的一种或几种的组合；第二钝化层(5)为三氧化二铝、氧化硅、氧化铜、氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化镍或氮化硅中的一种或几种的组合；第三钝化层(7)和第四钝化层(10)为三氧化二铝、氧化硅、氧化铜、氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化镍、氧化钛、氟化锂、氟化镁或氮化硅中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底(3)为N型掺杂，其掺杂元素为磷或砷中的一种或二种，硅掺杂层(4)为P型掺杂，其掺杂元素为硼、铝或镓中的一种或几种的组合，二硫化钼层(8)为本征层，其自身带有N型导电特性，二硫化钼掺杂层(9)为P型掺杂，其掺杂元素为氟、氧、砷或磷元素中的一种或几种的组合。

4.根据权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层(6)和第二透明导电层(11)为石墨烯、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺铟氧化锌或氧化铟锡中的一种或几种的组合。

5.一种权利要求1所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：该方法包含以下步骤：

步骤1：在硅衬底(3)的上表面附近区域进行掺杂，使硅衬底(3)的上表面附近被搀杂的区域成为硅掺杂层(4)，

步骤2：在硅掺杂层(4)的上表面，生长第二钝化层(5)，

步骤3：在第二钝化层(5)的上表面，生长第一透明导电层(6)，

步骤4：在第一透明导电层(6)的上表面，生长第三钝化层(7)，

步骤5：在第三钝化层(7)的上表面，制备二硫化钼层(8)，

步骤6：在二硫化钼层(8)的上表面附近区域进行掺杂，使二硫化钼层(8)的上表面附近被掺杂的区域成为二硫化钼掺杂层(9)，

步骤7：在二硫化钼掺杂层(9)的上表面，生长第四钝化层(10)，

步骤8：在第四钝化层(10)的上表面，生长第二透明导电层(11)，

步骤9：在第二透明导电层(11)的上表面，生长第二电极(12)，

步骤10：在硅衬底(3)的下表面，生长第一钝化层(2)，

步骤11：在第一钝化层(2)的下表面，生长第一电极(1)。

6.根据权利要求5所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：其中步骤1所述的掺杂工艺是采用离子注入、热扩散、旋涂扩散或激光掺杂的方法。

7.根据权利要求5所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：其中步骤2生长第二钝化层(5)，步骤3生长第一透明导电层(6)，步骤4生长第三钝化层(7)，步骤7生长第四钝化层(10)，步骤8生长第二透明导电层(11)和步骤10生长第一钝化层(2)是采用化学气相沉积、磁控溅射、原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积的方法。

8.根据权利要求5所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：其中步骤9生长第二电极(12)，步骤11生长第一电极(1)是采用电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射、电镀、化学镀或丝网印刷的方法。

9.根据权利要求5所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：其中步骤5制备二硫化钼层(8)是采用电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射、化学气相沉积、化学镀、金属有机物化学气相沉积或转移印刷的方法。

10.根据权利要求5所述的二硫化钼/硅双结太阳能电池的制备方法，其特征是：其中步骤6的掺杂是采用离子注入、等离子浸没式离子注入、热扩散、旋涂扩散、激光掺杂或反应离子刻蚀的方法。