[发明专利]一种硅晶片光刻曝光方法

权利要求书

1.一种硅晶片光刻曝光方法，其特征在于，按以下步骤进行操作：

1）、完成第一次晶片上生长层的生长，并判断该生长层是SiO₂还是金属，若是SiO₂则进入步骤2），若是金属则进入步骤3）；

2）、佳能曝光：

2.1）、选取佳能步进式曝光机；

2.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO₂还是金属，若是SiO₂则进入步骤2.2.1），若是金属则进入步骤2.2.2），若无则跳过该步骤；

2.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；

2.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；

2.3）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；进入步骤4）；

3）、PE曝光：

3.1）、选取Perkin-elmer扫描式曝光机；

3.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO₂还是金属，若是SiO₂则进入步骤3.2.1），若是金属则进入步骤3.2.2），若无则跳过该步骤；

3.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；

3.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；

3.3）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；进入步骤4）；

4）、判断是否完成所有生长层的生长，是则结束，否则进入步骤5）；

5）、生长：完成一次生长层的生长；并判断该生长层是SiO₂还是金属，若是SiO₂则进入步骤6），若是金属则进入步骤7）；

6）、佳能对位曝光：

6.1）、选取佳能步进式曝光机；

6.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO₂还是金属，若是SiO₂则进入步骤6.2.1），若是金属则进入步骤6.2.2），若无则跳过该步骤；

6.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；

6.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；

6.3）、根据上一次光刻在晶片上的佳能对位标记进行自动对位；

6.4）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；返回步骤4）；

7）、PE曝光：

7.1）、选取Perkin-elmer扫描式曝光机；

7.2）、判断下一次晶片上的生长层是SiO₂还是金属，若是SiO₂则进入步骤7.2.1），若是金属则进入步骤7.2.2），若无则跳过该步骤；

7.2.1）、在光刻版中图形的间隙上打上佳能对位标记；

7.2.2）、在光刻版中图形的间隙上打上PE对位标记；

7.3）、根据上一次光刻在晶片上的PE对位标记进行人工手动对位；

7.4）、通过曝光将光刻版上的图形转移至晶片上；返回步骤4）。

2.根据权利要求1所述的一种硅晶片光刻曝光方法，其特征在于，所述佳能对位标记和PE对位标记交错设置。

3.根据权利要求2所述的一种硅晶片光刻曝光方法，其特征在于，步骤4.1）中所述佳能对位标记包括框形的外对位槽和十字形的佳能对位槽，所述佳能对位槽位于外对位槽的框形区域内、且与外对位槽的中心一致。

4.根据权利要求3所述的一种硅晶片光刻曝光方法，其特征在于，步骤4.2）中所述PE对位标记包括框形的对位槽和方形的PE对位槽，所述PE对位槽位于对位槽的框形区域内、且与对位槽的中心一致，所述对位槽和外对位槽均呈正方形、且二者边长相等。