[发明专利]一种双向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法

权利要求书

1.一种双向NPN穿通型超低压TVS结构，其结构包括：NPN1区301、NP1区302、DN隔离区303、DN连通区304、NPN2区305及NP2区306，

A、NPN1区301结构包括：衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DP，DP里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，钝化层部分打开，其中，DP与衬底相连，SN与正面金属相连且通过正面金属与NP1区302的SN相连；

B、NP1区302结构包括：衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DP，DP里面包含SN和SP，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中，DP与衬底相连，SN与正面金属相连，且SN通过正面金属与NPN1区301的SN相连，SP与正面金属相连，且SP通过正面金属与DN连通区304的SN相连，NP1区302内的SN与SP不相连；

C、DN隔离区303结构包括：衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DN，DN里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中DN与衬底相连；

D、DN连通区304结构包括：衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DN，DN里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中DN与衬底相连，SN与正面金属相连，且通过正面金属与NP1区302及NP2区306的SP相连；

E、NPN2区305结构包括：衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DP，DP里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，钝化层部分打开，其中，DP与衬底相连，SN与正面金属相连且通过正面金属与NP2区306的SN相连，NPN1区301的正面金属与NPN2区305的正面金属不相连；

F、NP2区306结构包括：衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DP，DP里面包含SN和SP，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中，DP与衬底相连，SN与正面金属相连，且SN通过正面金属与NPN2区305的SN相连，SP与正面金属相连，且SP通过正面金属与DN连通区304的SN相连，NP2区306内的SN与SP不相连，NP1区302的正面金属与NP2区306的正面金属相连。

2.一种双向NPN穿通型超低压TVS的制备方法，其方法包括：

A、衬底211的准备及外延层212的制备，在N型低阻单晶硅上，生长P型高阻单晶硅层；

B、DN221制备，通过POCL₃工艺掺杂，高温扩散至DN与衬底211连通；

C、SP231制备，离子注入高浓P型杂质；

D、DP241制备，离子注入P型杂质，高温退火；

E、SN251制备，通过POCL₃工艺掺杂P元素，高温退火；

F、引线孔制备，SiO₂层261淀积，光刻，SiO₂刻蚀；

G、正面金属271制备，金属层淀积，光刻，金属层刻蚀，去胶；

H、钝化层281制备，SiO₂淀积，SiN淀积，光刻，SiN刻蚀，SiO₂刻蚀，去胶；

I、根据封装要求进行背面减薄。