[发明专利]一种基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器及其应用有效
申请号: | 201711121388.0 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107942418B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 范春珍;田雨宸 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;H01Q17/00 |
代理公司: | 郑州立格知识产权代理有限公司 41126 | 代理人: | 田小伍;刘彩霞 |
地址: | 450001 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 十字形 石墨 材料 赫兹 双波带 吸收 及其 应用 | ||
1.一种基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器,其特征在于,包括从下到上依次设置的金属反射层、介质层和图案层,所述图案层由呈周期性排列的十字形材料结构单元组成,所述每个十字形材料结构单元均由相互垂直的水平带和垂直带连接组成,水平带和垂直带均由石墨烯制成,所述十字型材料结构单元的晶格周期d为3-5μm,每个水平带和垂直带的宽a为0.6-1μm、长b为1.2-2μm。
2.如权利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器,其特征在于,所述图案层的厚度为1nm。
3.如权利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器,其特征在于,所述金属反射层为由高电导率的金属材料制成的的金属薄膜,金属反射层的厚度为200 -300μm。
4.如权利要求3所述的基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器,其特征在于,所述金属材料为金、银、铝或铜。
5.如权利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器,其特征在于,所述介质层的介电常数为3-5,介质层的厚度为3-5μm。
6.如权利要求5所述的基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器,其特征在于,所述介质层为二氧化硅薄膜。
7.权利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫兹双波带吸收器的应用,其特征在于,所述吸收器应用于电磁波的传感、光学滤波和探测装置。
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