[发明专利]一种有机电致发光显示面板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201711121557.0 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107845668B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 贺芳;舒适 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种有机电致发光显示面板及其制备方法和显示装置。该有机电致发光显示面板包括绿发光元件和对应设置于绿发光元件出光侧的绿色彩膜层,绿发光元件发出的光线在绿色彩膜层中的行走距离随其出光角度的变化不变。该有机电致发光显示面板通过使绿发光元件发出的光线在绿色彩膜层中的行走距离随其出光角度的变化不变,能够防止通过绿色彩膜层的绿光光线的色纯度发生变化,从而改善通过绿色彩膜层的绿光光线的色偏性能,提高绿光光线的光学表现,进而提高有机电致发光显示面板的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种有机电致发光显示面板及其制备方法和显示装置。
背景技术
目前有机电致发光(OLED)显示产品在中小尺寸产品中份额越来越高。未来OLED显示产品最重要的优势为可弯折,因此需要持续的降低OLED显示面板的厚度,但为了降低OLED显示面板的反射率,需要贴附圆偏光片,因此OLED显示面板的整体厚度尚不能支持随意弯折。
COE(CF on EL)技术为在薄膜封装的有机电致发光(EL)器件上形成色阻层(即CF,彩膜层),该结构具有降低OLED面板反射率和提高其色纯度、降低面板厚度等作用。但对于COE结构的OLED面板,随着出光角度的增大,红色、蓝色光的色纯度变化不明显,而绿色光的色纯度变化较大,最终导致COE结构的OLED面板在显示时的光学表现不理想,影响其显示效果。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种有机电致发光显示面板及其制备方法和显示装置。该有机电致发光显示面板通过使绿发光元件发出的光线在绿色彩膜层中的行走距离随其出光角度的变化不变,能够防止通过绿色彩膜层的绿光光线的色纯度发生变化,从而改善通过绿色彩膜层的绿光光线的色偏性能,提高绿光光线的光学表现,进而提高有机电致发光显示面板的显示效果。
本发明提供一种有机电致发光显示面板,包括绿发光元件和对应设置于所述绿发光元件出光侧的绿色彩膜层,所述绿发光元件发出的光线在所述绿色彩膜层中的行走距离随其出光角度的变化不变。
优选地,还包括红发光元件、蓝发光元件和分别对应设置于所述红发光元件、所述蓝发光元件出光侧的红色彩膜层、蓝色彩膜层,所述红发光元件和所述蓝发光元件发出的光线在相应的所述红色彩膜层和所述蓝色彩膜层中的行走距离随其出光角度的增大而增大,以使所述红发光元件和所述蓝发光元件发出的光线相应地通过所述红色彩膜层和所述蓝色彩膜层后的色纯度不变。
优选地,还包括像素限定层和黑矩阵,所述像素限定层与所述红发光元件、所述绿发光元件和所述蓝发光元件同层设置,所述像素限定层将所述红发光元件、所述绿发光元件和所述蓝发光元件相互隔开;
所述黑矩阵与所述红色彩膜层、所述绿色彩膜层和所述蓝色彩膜层同层设置,所述黑矩阵将所述红色彩膜层、所述绿色彩膜层和所述蓝色彩膜层相互隔开;
所述红发光元件与所述红色彩膜层在所述显示面板上的正投影重合,所述绿发光元件与所述绿色彩膜层在所述显示面板上的正投影重合,所述蓝发光元件与所述蓝色彩膜层在所述显示面板上的正投影重合,所述黑矩阵与所述像素限定层在所述显示面板上的正投影重合。
优选地,还包括平坦层,所述平坦层设置于所述红色彩膜层、所述绿色彩膜层和所述蓝色彩膜层的远离所述红发光元件、所述绿发光元件和所述蓝发光元件的一侧。
优选地,还包括封装层,所述封装层设置于所述红色彩膜层、所述绿色彩膜层和所述蓝色彩膜层与所述红发光元件、所述绿发光元件和所述蓝发光元件之间,用于对所述红发光元件、所述绿发光元件和所述蓝发光元件进行封装。
本发明还提供一种上述有机电致发光显示面板的制备方法,包括:
在绿发光元件的出光侧形成绿色色阻膜层;
采用数字灰度调节法调节照射到所述绿色色阻膜层上的曝光光线的照射时间,以形成包括绿色彩膜层的图形;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的