[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术

在晶片的加工方法中进行如下动作：一边利用卡盘工作台对晶片进行保持而使其旋转并使研磨垫旋转而对晶片进行按压，一边提供研磨液并进行研磨，然后使卡盘工作台和研磨垫进行旋转并提供冲洗液，在晶片上形成去疵层(例如，参照专利文献1和专利文献2)。

专利文献1：日本特开2013-247132号公报

专利文献2：日本特开2013-244537号公报

专利文献1和2的发明使用研磨垫来连续地进行研磨及之后的去疵层形成。但是，专利文献1和2的发明并没有着眼于在各个处理中用于在晶片上高效地形成去疵层的卡盘工作台的优选的转速。在晶片的加工中希望高效地形成去疵层。

发明内容

本发明的目的在于，提供晶片的加工方法，能够高效地进行去疵层的形成。

为了解决上述的课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法使用研磨垫，该研磨垫包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的该研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序，维持该研磨工序中的使以该规定的速度旋转的该研磨垫与旋转的该卡盘工作台上所保持的该晶片抵接的状态，在该研磨工序之后连续地使该卡盘工作台以比该第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。

该第2旋转速度也可以逐渐变小。

根据本发明，由于去疵层形成工序的卡盘工作台的旋转速度比研磨工序时的小，所以能够使去疵层形成工序的研磨垫与晶片的相对速度变得比研磨工序中的相对速度大，能够高效地进行去疵层的形成。

附图说明

图1是示出实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。

图2是在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的结构例的立体图。

图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。

图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。

图5是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序的图。

图6是示出实施方式1的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。

图7是示出实施方式1的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度与载荷的图。

图8是示出实施方式1的晶片的加工方法的单片化工序的图。

图9是示出实施方式2的晶片的加工方法的研磨工序的图。

图10是示出实施方式2的晶片的加工方法的去疵层形成工序的图。

图11是示出实施方式3的晶片的加工方法的研磨工序和去疵层形成工序的旋转速度的图。