[发明专利]有源区顶部圆滑度的模拟检测方法

权利要求书

1.一种有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、产品晶片的有源区由浅沟槽场氧隔离，在浅沟槽场氧的浅沟槽的主刻蚀工艺完成后，还包括一个对所述有源区的顶部进行圆滑的圆滑修饰步骤，提取所述圆滑修饰步骤的参数；

步骤二、提供一测试晶片，采用所述产品晶片的浅沟槽的相同的光刻工艺在所述测试晶片上定义出区域大小相同的浅沟槽形成区域；

步骤三、采用步骤一提取的所述圆滑修饰步骤作为所述测试晶片中的浅沟槽的刻蚀工艺并形成所述测试晶片中的浅沟槽，用所述测试晶片的浅沟槽模拟所述产品晶片的有源区的顶部圆滑区；

步骤四、测量所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度，通过该角度检测所述产品晶片上的有源区的顶部圆滑度；步骤四之后还包括：

步骤五、根据所述角度检测结果对所述圆滑修饰步骤的参数进行调节，实现对所述产品晶片上的有源区的顶部圆滑度的优化；步骤五包括如下分步骤：

步骤51、制作出所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度和所述圆滑修饰步骤的参数的第一关系曲线；

步骤52、制作出所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度和所述产品晶片上的有源区的顶部圆滑度的第二关系曲线；

步骤53、当步骤四中对所述产品晶片上的有源区的顶部圆滑度的测量结果偏离目标值范围时，根据所述第二关系曲线得到所要求的所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度，根据所述第一关系曲线确定所要求的所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度对应的所述圆滑修饰步骤的参数，并根据确定的所述圆滑修饰步骤的参数对所述圆滑修饰步骤进行调节。

2.如权利要求1所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：步骤四中通过光学线宽测量仪测试所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度。

3.如权利要求1所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：所述测试晶片和所述产品晶片的浅沟槽的刻蚀工艺层次具有相同的图形透光率和图形分布。

4.如权利要求1或3所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：所述产品晶片的浅沟槽是通过对单晶硅刻蚀形成的；在所述测试晶片上提供一多晶硅层，并用该多晶硅层模拟所述产品晶片的形成浅沟槽的单晶硅，所述测试晶片上的浅沟槽形成于所述多晶硅层中。

5.如权利要求4所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：在步骤三的所述测试晶片的浅沟槽的刻蚀步骤中，在所述测试晶片的多晶硅层表面的工艺薄膜结构和所述产品晶片进行浅沟槽的刻蚀时的工艺薄膜结构相同。

6.如权利要求5所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：所述产品晶片进行浅沟槽的刻蚀时的工艺薄膜结构包括衬垫氧化层、氮化层和BARC。

7.如权利要求4所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：所述测试晶片为一单晶硅晶片，在所述测试晶片的单晶硅晶片表面形成有第一氧化层，所述多晶硅层形成于所述第一氧化层表面。

8.如权利要求7所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：所述测试晶片的多晶硅层表面的工艺薄膜结构包括衬垫氧化层、氮化层和BARC。

9.如权利要求1所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：步骤51中通过调节不同的所述圆滑修饰步骤的参数并测量对应的所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度得到所述第一关系曲线。

10.如权利要求1所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：所述第一关系曲线包括3个区间，区间一为修饰不足区域，区间二为线性修饰区域，区间三为过度修饰区域。

11.如权利要求1所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：步骤52的所述第二关系曲线通过测量不同的所述测试晶片中的浅沟槽的边缘形貌的角度对应的所述产品晶片上的有源区的顶部圆滑度得到。

12.如权利要求1所述的有源区顶部圆滑度的模拟检测方法，其特征在于：步骤五中对所述圆滑修饰步骤的参数进行调节对应的参数包括所述圆滑修饰步骤的刻蚀气体流量。