[发明专利]LTPS薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201711121996.1 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107910378B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 班圣光;曹占锋;姚琪;薛大鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ltps 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种LTPS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
通过一次构图工艺在衬底基板上形成遮光图形和所述LTPS薄膜晶体管的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述遮光图形在所述衬底基板上的正投影中，所述遮光图形采用半导体材料制成；
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD利用重掺杂非晶硅制成所述遮光图形，所述重掺杂非晶硅中的p离子分布均匀，p离子在所述重掺杂非晶硅层的表面和内部的浓度不存在差异，所述遮光图形的方块电阻小于1000Ω/口。
2.根据权利要求1所述的LTPS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：
在所述衬底基板上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成重掺杂非晶硅层；
在所述重掺杂非晶硅层上形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上涂覆光刻胶，进行曝光后形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，去除光刻胶去除区域的重掺杂非晶硅层、第二缓冲层和所述多晶硅层，形成所述遮光图形和所述有源层；
剥离光刻胶保留区域的光刻胶。
3.根据权利要求2所述的LTPS薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述第一缓冲层上形成重掺杂非晶硅层包括：
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD在所述第一缓冲层上形成所述重掺杂非晶硅层。
4.一种LTPS薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-3中任一项所述的制作方法制作得到。
5.根据权利要求4所述的LTPS薄膜晶体管，其特征在于，在所述遮光图形采用重掺杂非晶硅制成时，所述遮光图形的厚度为
6.一种LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1-3中任一项所述的制作方法在衬底基板上制作LTPS薄膜晶体管。
7.一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括位于衬底基板上的如权利要求4或5所述的LTPS薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的LTPS阵列基板。
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