[发明专利]高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法

权利要求书

1.一种高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，该方法至少包含下列步骤：

(A)将一金属铜粉溶解成金属铜溶液；

(B)将一表面氧化铝清除后的金属铝粉与该金属铜溶液混合形成第一金属混合溶液，并在该第一金属混合溶液中进行化学置换反应，使该金属铜所游离的铜离子往该金属铝粉表面移动，而在该金属铝粉表面上形成一铜层，其中该铜层的包覆厚度介于几十奈米至几微米之间；

(C)将该第一金属混合溶液过滤干燥后，得铜包铝粉末；以及

(D)将该铜包铝粉末在空气中进行烧结，获得铜包铝厚膜膏。

2.如权利要求1所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述步骤(D)是在低温环境下完成烧结，该低温环境为小于220℃。

3.如权利要求1或2所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述铜包铝厚膜膏是由黏结剂、铜包铝粉末及添加物烧结而成，该黏结剂为高分子树脂，而该添加物为分散剂或流变调整剂。

4.如权利要求1或2所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述铜包铝厚膜膏的电阻率小于1×10^-5W·cm。

5.如权利要求1或2所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述铜包铝厚膜膏适用于膜片开关、触控面板、及无线射频识别。

6.如权利要求1所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述步骤(D)是在高温环境下完成烧结，该高温环境为小于600℃。

7.如权利要求1或6所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述铜包铝厚膜膏是由铜包铝粉末、添加物及玻璃烧结而成，且该添加物为分散剂或流变调整剂。

8.如权利要求1或6所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述铜包铝厚膜膏的电阻率小于1×10^-6W·cm。

9.如权利要求1或6所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述铜包铝厚膜膏适用于被动组件、LED散热基板、及硅基太阳电池。

10.一种高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，该方法至少包含下列步骤：

(A1)将权利要求1所得的铜包铝粉末蚀洗；

(B1)将被蚀洗铜包铝粉末溶解于乙二醇中形成铜包铝粉溶液，另将一金属银粉溶解于乙二醇中形成金属银溶液；

(C1)将该铜包铝粉溶液与该金属银溶液混合形成第二金属混合溶液，并在该第二金属混合溶液中进行化学置换反应，使该金属银所游离的银离子往该被蚀洗铜包铝粉末表面移动，并还原成微米或奈米银的型态，而在该被蚀洗铜包铝粉末表面上形成一层微米或奈米银，其中该微米或奈米银的包覆厚度介于几十奈米至几微米之间；

(D1)将该第二金属混合溶液过滤干燥后，取得微米或奈米银包铝粉末；以及

(E1)将该微米或奈米银包铝粉末在空气中进行烧结，获得微米或奈米银包铝厚膜膏。

11.如权利要求10所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述步骤(E1)是在低温环境下完成烧结，该低温环境是小于300℃。

12.如权利要求10或11所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述微米银包铝厚膜膏是由黏结剂、银包铝粉末及添加物烧结而成，且该黏结剂为高分子树脂，而该添加物系为分散剂或流变调整剂。

13.如权利要求10或11所述的高导电率卑金属厚膜导电膏的制备方法，其特征在于，所述奈米银包铝厚膜膏是由银包铝粉末及添加物烧结而成，且以覆膜的奈米银作为黏结剂，而该添加物为分散剂或流变调整剂。