[发明专利]二极管模组在审
申请号: | 201711122199.5 | 申请日: | 2013-04-12 |
公开(公告)号: | CN107731976A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/12;G02B6/42 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 模组 | ||
1.一种二极管模组,包括:
半导体基底层,具有一表面,该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区,该光纤接入区开设有光纤收容沟槽,该光纤收容沟槽的延伸方向指向该光波导固定区;
二极管外延层,形成于该外延层生长区,该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结,该PN结之间形成有多重量子井结构层;
及光波导,形成于该光波导固定区,该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对。
2.如权利要求1所述的二极管模组,其特征在于,该半导体缓冲层为N型缓冲层,该PN结包括P型半导体层和N型半导体层,其中该N型半导体层相邻于该N型缓冲层。
3.如权利要求1所述的二极管模组,其特征在于,该半导体缓冲层为P型缓冲层,该PN结包括P型半导体层和N型半导体层,其中该P型半导体层相邻于该P型缓冲层。
4.如权利要求1所述的二极管模组,其特征在于,该光纤收容沟槽为V型沟槽、或横截面为长方形或多边形的沟槽。
5.如权利要求1所述的二极管模组,其特征在于,该光波导为薄膜波导。
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