[发明专利]III-V族半导体二极管

权利要求书

1.一种堆叠状的III-V族半导体二极管(10)，其具有，

p⁺衬底(12)，所述p⁺衬底的掺杂剂浓度为5*10¹⁸至5*10²⁰N/cm³、层厚度(D_s)为50至500μm，其中，所述p⁺衬底(12)包括GaAs化合物，

n^-层(16)，所述n^-层的掺杂剂浓度为10¹²至10¹⁶N/cm³、层厚度(D₁)为10至300μm，所述n^-层包括GaAs化合物，

n⁺层(18)，所述n⁺层的层厚度(D₂)小于30μm，所述n⁺层包括GaAs化合物，

其中，所述n^-层(16)与所述n⁺层(18)彼此材料锁合地连接，

其特征在于，

所述n⁺层的掺杂剂浓度至少为10¹⁹N/cm³，在所述p⁺衬底(12)与所述n^-层(16)之间布置有层厚度(D₃)为1μm至50μm且掺杂剂浓度为10¹²至10¹⁷N/cm³的经n型掺杂的中间层(14)，其中，所述n型掺杂的中间层(14)的掺杂剂浓度小于所述n^-层(16)的掺杂剂浓度，其中，所述中间层(14)与所述p⁺衬底(12)以及所述n^-层(16)材料锁合地连接。

2.根据权利要求1所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，所述中间层(14)的掺杂剂浓度构造成在1/10000至1/2范围内小于所述p⁺衬底的掺杂剂浓度。

3.根据权利要求2所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，所述中间层(14)包括硅作为掺杂剂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，所述p⁺衬底(12)包括锌作为掺杂剂。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，所述n^-层(16)和/或所述n⁺层(18)包括硅和/或铬和/或钯和/或锡作为掺杂剂。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，由所述p⁺衬底(12)、所述n^-层(16)、所述中间层(14)以及所述n⁺层(18)构成的堆叠状的层结构(100)单片地构造。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，由所述p⁺衬底(12)、所述n^-层(16)、所述中间层(14)以及所述n⁺层(18)构成的堆叠状的层结构(100)的总高度至多为150至500μm。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的III-V族半导体二极管(10)，其特征在于，由所述p⁺衬底(12)、所述n^-层(16)、所述中间层(14)以及所述n⁺层(18)构成的堆叠状的层结构(100)具有棱边长度(L1，L2)为1mm至10mm之间的矩形的表面。