[发明专利]一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法在审
| 申请号： | 201711127697.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107946281A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;王雷;姜国伟;孙洪福 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有气 介质 及其 方法 | ||
1.一种具有气隙的层间介质层，其特征在于，所述具有气隙的层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度。
2.一种如权利要求1所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，所述具有气隙的层间介质层之气隙采用高密度等离子体化学气相沉积方法制备。
3.如权利要求2所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，在通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙的层间介质层之气隙时，所述高密度等离子体化学气相沉积之工艺方法采用两步法。
4.如权利要求3所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，第一步之沉积与溅射比率为3.5～4.5。
5.如权利要求4所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，第二步之沉积与溅射比率为2.6～3.2。
6.如权利要求5所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的厚度比例为1:1～2.2:1。
7.如权利要求3所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，所述高密度等离子体化学气相沉积之工艺方法采用两步法，第一步之沉积与溅射比率为4，第二步之沉积与溅射比率为2.8，且所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的厚度比例为1.5:1。
8.如权利要求3所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的总厚度根据当层之金属连线的厚度设置。
9.如权利要求3所述具有气隙的层间介质层之淀积方法，其特征在于，所述金属连线之间进行不同深宽比的晶圆结构填充，以形成高度可控的气隙。
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