[发明专利]晶片清洁装置及其使用方法

权利要求书

1.一种用于湿法清洁的晶片清洁装置，包括：

冷却单元，其用于冷却附着有异物的晶片；以及

清洁单元，其用于物理清洁已经冷却的所述晶片。

2.根据权利要求1所述的晶片清洁装置，其中，

所述冷却单元设置有冷却喷嘴并通过所述冷却喷嘴将冷却材料直接喷射到所述晶片上。

3.根据权利要求1所述的晶片清洁装置，其中，

所述晶片在冷却室内冷却。

4.根据权利要求1所述的晶片清洁装置，其中，

所述晶片形成为使得所述晶片的金属暴露。

5.根据权利要求1所述的晶片清洁装置，其中，

所述冷却材料的沸点在-150℃以下。

6.根据权利要求1所述的晶片清洁装置，其中，

所述冷却材料包括液氮、液氩和液氧中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的晶片清洁装置，其中，

所述冷却材料为液体。

8.一种使用晶片清洁装置的方法，包括：

步骤a：准备附着有异物的晶片；

步骤b：在所述冷却单元中冷却所述晶片和所述异物；以及

步骤c：在所述清洁单元中物理除去所述晶片的所述异物，

其中，在所述步骤b中，所述晶片与冷却材料直接接触。

9.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

在所述步骤c中，温度高于室温的液体与所述晶片物理接触。

10.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

在所述步骤c中，通过使用超声波除去所述异物。

11.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

在所述步骤c中，通过喷射液体除去所述异物。

12.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

在所述步骤b中，在冷却室内冷却所述晶片。

13.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

在所述步骤c中，将液体喷射在所述晶片上。

14.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

在所述步骤b中，将所述晶片冷却3秒以上至60秒以下。

15.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，还包括：

步骤d：在准备所述晶片之前清洁所述晶片；以及

步骤e：干燥所述晶片。

16.根据权利要求8所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

所述液体是水。

17.根据权利要求9所述的使用晶片清洁装置的方法，其中，

温度高于室温的所述液体的温度在20℃和100℃之间。