[发明专利]一种应用于高速模数转换器的高速参考缓冲电路在审

专利信息
申请号: 201711128855.2 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107659312A 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 傅健;潘杰;梅张雄 申请(专利权)人: 北京联盛德微电子有限责任公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12;H03K19/0185
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 代理人: 夏静洁
地址: 100142 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 高速 转换器 参考 缓冲 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于高速模数转换器的高速参考缓冲电路,其特征在于,包括:偏置电压产生电路、参考缓冲输出级、输出电压感知电路以及馈通电路;

所述偏置电压产生电路用于产生偏置电压;所述参考缓冲输出级用于驱动后级的模数转换器中的采样电容;所述输出电压感知电路用于对所述参考缓冲输出级的输出电压的变化量进行感知;所述馈通电路用于将所述输出电压感知电路的输出量反馈到所述参考缓冲输出级,并将所述偏置电压产生电路的输出量传递到所述参考缓冲输出级;

所述偏置电压产生电路的输出端与所述馈通电路的第一输入端电连接,所述馈通电路的第二输入端与所述输出电压感知电路的输出端电连接,所述馈通电路的输出端与所述参考缓冲输出级的输入端电连接,所述参考缓冲输出级的输出端与所述输出电压感知电路的输入端电连接。

2.如权利要求1所述的高速参考缓冲电路,其特征在于,所述参考缓冲输出级包括第一NMOS管和第一电阻;

所述第一NMOS管的源极通过所述第一电阻接地,所述第一NMOS管的漏极接工作电压,所述第一NMOS管的栅极与所述馈通电路的输出端电连接。

3.如权利要求2所述的高速参考缓冲电路,其特征在于,所述输出电压感知电路包括第二NMOS管和PMOS管;

所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的源极电连接,所述第二NMOS管的漏极与所述馈通电路的第二输入端电连接;

所述PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极电连接,所述PMOS管的栅极与其漏极电连接,所述PMOS管的源极与所述工作电压电连接。

4.如权利要求1所述的高速参考缓冲电路,其特征在于,所述偏置电压产生电路包括第三NMOS管和第三电阻;

所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极通过所述第三电阻与所述工作电压电连接,所述第三NMOS管的漏极与其栅极电连接,所述第三NMOS管的栅极与所述馈通电路的第一输入端电连接。

5.如权利要求1所述的高速参考缓冲电路,其特征在于,所述馈通电路包括电容和第二电阻;

所述电容一端与所述第二电阻电连接,另一端与所述输出电压感知电路的输出端电连接;

所述第二电阻一端与所述偏置电压产生电路的输出端电连接,另一端与所述电容和所述参考缓冲输出级的输入端分别电连接。

6.如权利要求1所述的高速参考缓冲电路,其特征在于,所述馈通电路包括电容,所述电容一端与所述偏置电压产生电路的输出端和所述参考缓冲输出级的输入端分别电连接,另一端与所述输出电压感知电路的输出端电连接。

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