[发明专利]量子点发光二极管和使用该二极管的发光显示装置有效
申请号: | 201711129120.1 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN108075043B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 尹炅辰;李娜沇 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 发光材料层 发光二极管 界面控制层 发光显示装置 电荷传输层 二极管 发光材料 发光效率 界面能量 界面缺陷 均匀形态 湿气渗透 电荷 低电压 劣化 失配 氧气 驱动 | ||
量子点发光二极管和使用该二极管的发光显示装置。本发明提供了一种量子点发光二极管和包括该二极管的发光显示装置,该量子点发光二极管包括界面控制层,该界面控制层位于使用量子点作为发光材料的发光材料层与至少一个电荷传输层之间,以向发光材料层提供电荷。由于界面控制层设置在发光材料层与至少一个电荷传输层之间,所以可防止由于发光材料层与至少一个电荷传输层之间的界面能量失配而发生的界面缺陷,以获得具有均匀形态的量子点的发光材料层。此外,由于使用了界面控制层,所以可防止氧气或湿气渗透到发光材料层中,由此防止用作发光材料的量子点的劣化。因此,即使在低电压下也可以驱动发光二极管,并且可以大大提高发光效率。
技术领域
本公开涉及一种发光二极管,并且更具体地说,涉及一种如发光效率等发光特性得到改善的量子点发光二极管以及使用该量子点发光二极管的发光显示装置。
背景技术
能够替代作为平板显示装置的代表性示例的液晶显示(LCD)装置的下一代发光二极管显示装置已经迅速投入使用。在下一代发光二极管显示装置当中,有机发光二极管(OLED)显示装置使用有机材料作为发射层的材料。当发光二极管的电流密度或驱动电压增加以增加在OLED显示装置中发射的光的亮度时,由于有机发光材料的劣化(例如,有机发光材料的分解),发光二极管的寿命可能降低。
作为OLED的替代,将使用量子点(QDs)作为发射层的材料的量子点发光二极管(QLED)已经受到很多关注。通过调整量子点的尺寸可以容易地控制发射峰值,并且与有机材料相比,量子点对于由热量或湿气引起的材料劣化、氧化等更为稳健。类似于OLED,量子点发光二极管通常具有包括在发射层与电极之间的附加层的多层结构,以传输如空穴或电子的电荷载流子。在发射层中使用的量子点是无机材料,而电荷传输层(特别是空穴传输层)由有机材料形成。由于由有机材料形成的电荷传输层堆叠在由量子点形成的发射层附近,所以在发射层与电荷传输层之间的界面处可能会出现缺陷。
例如,当通过旋涂有机材料形成空穴传输层,并且通过在空穴传输层上执行旋涂形成由量子点形成的发射层时,由于在空穴传输层的有机材料与作为发射层的无机材料的量子点之间的界面处发生的界面能量失配,,可能难以实现均匀的量子点发射层的表面形态。当如上所述将由有机材料形成的电子传输层堆叠在形态不足的量子点发射层上时,电子传输层可以形成为具有塌陷形态的量子点发射层的形态。在这种情况下,即使最终形成的电极堆叠得非常厚,电极也会以塌陷形态的量子点发射层沉积。
如上所述,在QLED中,在发射层上进行涂布以及从发射层去除溶剂的期间,由于由于作为用作发射层的材料的无机材料的量子点与位于发射层之上和之下的电荷传输层的有机材料之间的界面能量不匹配引起的量子点的凝聚力,不能确保由量子点形成的发射层的形态。当不能确保由量子点形成的发射层的均匀形态时,光发射在QLED中发生得不均匀并且整体发光效率大大地降低。
此外,用于形成QLED器件的发射层的量子点易受湿气或氧气的影响,并因此在湿气或氧气透过QLED时裂化。发光效率以及发光二极管的稳定性由于以下原因而降低:于在包括量子点的发射层和与发射层相邻的电荷传输层之间的界面处出现的缺陷、量子点的不均匀形态特性、由湿气或氧气的渗透引起的量子点的劣化等。
发明内容
实施方式涉及一种量子点发光二极管以及包括该量子点发光二极管的量子点发光显示装置,该量子点发光二极管具有均匀形态的发光材料层并且能够防止氧气和湿气的渗透。
一个或更多个实施方式涉及一种量子点发光二极管,该量子点发光二极管包括在发光材料层与电荷传输层之间的界面控制层,以防止在发光材料层与电荷传输之间的界面处发生界面缺陷层。
所述界面控制层可以位于发光材料层与第一电荷传输层之间和/或发光材料层与第二电荷传输层之间。
一个或更多个实施方式涉及一种采用量子点发光二极管作为发光器件的量子点发光显示装置。
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