[发明专利]一种多晶硅切割装置

说明书

本发明公开了一种多晶硅切割装置，属于多晶硅领域。该装置包括支座、支架和夹紧装置，所述支座上开设有滑槽，所述支架上设置有与所述滑槽相配合的滑块，所述支架上开设有螺纹孔，所述夹紧装置包括与所述螺纹孔相配合的螺杆、设置在所述螺杆一端的转柄和设置在所述螺杆另一端的压块，所述螺杆穿过所述螺纹孔，所述支座具有支撑层和硅层，所述硅层覆盖所述支座的内表面，所述硅层为高纯度多晶硅。

技术领域

本发明涉及多晶硅领域，特别涉及一种多晶硅切割装置。

背景技术

目前晶体硅片广泛应用于微电子或太阳能电池领域，是硅料经直拉法或铸绽法制成单晶棒或多晶硅锭，切割成硅块后，通过切割装置将固定在压料装置上的硅块进行切片，但是目前用于压住多晶硅的压料装置都是固定不可调的，因此对于不同长度的硅片进行切割时，必须重新设计，因此增加了成本，降低了工作效率。另外，由于切割时需要将硅锭进行夹紧，在切割过程中需要不断调整硅块的位置，当硅块较大时，重力较重，摩擦力较大，容易使硅块和支座之间产生磨损，磨损产生的碎屑会混入硅块中影响纯度。

发明内容

本发明提供一种多晶硅切割装置，可以解决背景技术中所指出的问题。

一种多晶硅切割装置，包括支座、支架和夹紧装置，所述支座上开设有滑槽，所述支架上设置有与所述滑槽相配合的滑块，所述支架上开设有螺纹孔，所述夹紧装置包括与所述螺纹孔相配合的螺杆、设置在所述螺杆一端的转柄和设置在所述螺杆另一端的压块，所述螺杆穿过所述螺纹孔，所述支座具有支撑层和硅层，所述硅层覆盖所述支座的内表面，所述硅层为高纯度多晶硅。

更优地，所述滑槽为两条，两条所述滑槽关于所述支座对称设置，两条滑槽沿长度方向平行设置。

更优地，所述滑槽的横截面为T型。

更优地，所述压块为圆饼形，所述压块可拆卸地连接在所述螺杆的一端。

本发明提供一种多晶硅切割装置，利用滑槽和滑块相配合，可以方便地调整压紧的距离，方便根据硅块的大小合理调整设置，通过夹紧装置可以方便地将硅块夹紧，使用方便，硅层可以防止硅块和支座之间磨损影响多晶硅的纯度。

附图说明

图1为本发明提供的一种多晶硅切割装置结构示意图；

图2为图1的主视图；

图3为图2中A处局部放大图。

附图标记说明：

10-支座，11-滑槽，12-硅层，20-支架，21-滑块，30-螺杆，31-转柄，32-压块。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的一个具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。

如图1至图3所示，本发明实施例提供的一种多晶硅切割装置，包括支座10、支架20和夹紧装置，所述支座10上开设有滑槽11，所述支架20上设置有与所述滑槽11相配合的滑块21，所述支架20上开设有螺纹孔，所述夹紧装置包括与所述螺纹孔相配合的螺杆30、设置在所述螺杆30一端的转柄31和设置在所述螺杆30另一端的压块32，所述螺杆30穿过所述螺纹孔，所述支座10具有支撑层和硅层12，所述硅层12覆盖所述支座10的内表面，所述硅层12为高纯度多晶硅。

进一步地，所述滑槽11为两条，两条所述滑槽11关于所述支座10对称设置，两条滑槽11沿长度方向平行设置。

进一步地，所述滑槽11的横截面为T型。

进一步地，所述压块32为圆饼形，所述压块32可拆卸地连接在所述螺杆30的一端。