[发明专利]一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块

权利要求书

1.一种半导体功率器件子模组的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.在钼片(1)的镀银面(11)上沉积AgSn薄膜焊膏；

S2.将芯片(2)通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件子模组的生产方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用真空离子溅射方式将所述AgSn薄膜焊膏沉积在所述钼片(1)上。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件子模组的生产方法，其特征在于，所述AgSn薄膜焊膏的厚度为3μm-30μm。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件子模组的生产方法，其特征在于，还包括步骤：S3.将所述待烧结结构置于真空烧结炉中进行烧结。

5.根据权利要求4所述的半导体功率器件子模组的生产方法，其特征在于，在所述步骤S3中，包括如下步骤：

a.升温至第一预定温度，所述第一预定温度为160℃-190℃；

b.待温度稳定至第一预定温度后，注入甲酸，保温10-12min；

c.继续升温，将温度升高至第二预定温度，所述第二预定温度为250℃-300℃，待温度稳定后保温10-15min；

d.降温至室温。

6.一种半导体功率器件子模组，其特征在于，采用权利要求1-5任一所述的生产方法制作而成，其包括：

钼片(1)；

芯片(2)，与所述钼片(1)相对的一面设有第一电极并设有AgSn薄膜焊膏，所述芯片(2)异于所述AgSn薄膜焊膏的一侧设有第二电极；

下垫片(3)，与所述第二电极相贴合；

以及，

绝缘框架(4)，用以容纳所述钼片(1)、所述芯片(2)和所述下垫片(3)。

7.根据权利要求6所述的半导体功率器件子模组，其特征在于，还包括：

第三电极，设置在所述芯片(2)上位于所述第二电极的一侧；

栅极探针(5)，与所述芯片(2)垂直设置并一端与所述第三电极相接触。

8.根据权利要求7所述的半导体功率器件子模组，其特征在于，所述芯片(2)上设有拐角，所述栅极探针(5)嵌入所述拐角中并与所述芯片(2)相垂直。

9.一种压接式IGBT模块，其特征在于，包括：

权利要求6-8任一所述的半导体功率器件子模组；

PCB板，设置在靠近所述下垫片(3)的一端，所述PCB板设有与所述栅极探针(5)一端相连接的栅极端子；

集电极，设置在靠近所述半导体功率器件子模组的所述钼片(1)的一侧。